TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ設計(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ開発手法について述べる。特に低オフリーク版をターゲットとして、0.35um/2.5Vから0.15um/1.5Vヘシュリンク・電源電圧低減を行った。完全空乏型SOIトランジスタ開発において、SOI膜厚ばらつき・寄生チャネルリーク・寄生抵抗・基板浮遊効果などを考慮したTCAD検討が短TAT(turn around time)開発の鍵である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-23
著者
-
望月 麻理恵
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
-
福田 浩一
沖電気工業株式会社
-
三浦 規之
沖電気工業株式会社
-
小松原 弘毅
沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部
-
望月 麻理恵
沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部
-
林 洋一
沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部
-
林 洋一
沖電気工業株式会社
-
小松原 弘穀
沖電気工業株式会社シリコンソリューションカンパニー研究本部
-
小松原 弘毅
半導体先端テクノロジーズ
-
林 洋一
沖電気工業
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