三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける解析モデルイオン注入計算高速化(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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三次元プロセスシミュレータHySyProSにおいて解析モデルイオン注入を高速化した。計算時間削減のボトルネックは、注入経路に沿った多層膜の構造解析であった。計算コストが高く、解析節点数の約1000倍の繰り返し回数を要するからである。我々は、あらかじめ注入経路と垂直な平面を区画化し、区画ごとに材質境界と注入経路との交点を記憶する方法で、探索回数を低減した。区画化は表面の解析節点をベースとした。区画の密度には形状が反映され、層構造の解析精度の劣化を抑制した。HySyProSは本手法の導入によりSTI-MOSFETのイオン注入計算において1.8倍の高速化を達成した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-09-21

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