三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発
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概要
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(株)半導体先端テクノロジーズ第三次元プロセスシミュレータHySyProS(Hyper Synthesized Process Simulator)の酸化計算部についてその概要をまとめる。HySyProSでは粘弾性解法にPengの方法を採用し、粘性係数の応力依存性を考慮した計算が可能である。デバイス形状は直方体状要素とそれを領域界面で分割した箱状要素で表現し、界面の移動はメッシュ上に設定された関数値を用いて行う。現実的なデバイス構造への適用例としてトレンチ分離を持つMOSトランジスタ構造の計算結果を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-09-21
著者
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
-
内田 哲也
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
-
西 謙二
近畿大学工業高等専門学校
-
天川 博隆
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
鈴木 腕
株式会社半導体先端テクノロジーズ 基盤技術研究部
-
竹中 正浩
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
-
伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
-
石川 英明
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
-
内田 哲也
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
竹中 正浩
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
石川 英明
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
伊藤 早苗
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
佃 栄次
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
天川 博隆
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
西 謙二
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
西 謙二
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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西 謙二
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院
-
西 謙二
株式会社半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)近畿大学工業高等専門学校
-
佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
-
内田 哲也
三菱電機ulsi開発研究所
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