256MビットDRAM以降対応のシャロートレンチ分離のストレス解析
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概要
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- 1998-12-03
著者
-
内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
-
西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
-
西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
-
西村 正
三菱電機(株)
-
堀田 勝之
三菱電機(株)
-
黒井 隆
三菱電機(株)
-
内田 哲也
三菱電機(株)
-
伊藤 康悦
三菱電機(株)
-
井上 靖朗
三菱電機(株)
-
西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
-
堀田 勝之
Ulsi技術開発センター
-
黒井 隆
Ulsi技術開発センター
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
-
伊藤 康悦
ULSI技術開発センター
-
西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
-
西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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