西村 正 | 三菱電機 Ulsi開セ
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概要
関連著者
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西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
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西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
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西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
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西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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西村 正
三菱電機(株)
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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石川 清志
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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石川 清志
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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谷沢 元昭
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
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前川 繁登
三菱電機(株)LSI研究所
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平野 有一
三菱電機(株)
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岩松 俊明
三菱電機(株)
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山口 泰男
三菱電機(株)
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一法師 隆志
三菱電機(株)
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井上 靖朗
三菱電機(株)
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赤坂 洋一
三菱電機LSI研究所
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木寺 真琴
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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石川 清志
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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和智 勇治
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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谷沢 元昭
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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前田 茂伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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赤坂 洋一
三菱電機
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前田 茂伸
Ulsi開発センター
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前田 茂伸
三菱電機(株)
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黒井 隆
三菱電機(株)
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宮本 昭一
三菱電機(株)
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佐山 弘和
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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須磨 克博
三菱電機ULSI開発研究所
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森下 玄
三菱電機ULSI開発研究所
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栄森 貴尚
三菱電機ULSI開発研究所
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園田 賢一郎
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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木村 広嗣
三菱電機ULSI開発研究所
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佐山 弘和
大阪大学基礎工学部
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大野 吉和
三菱電機 ULSI開発研究所
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油谷 明栄
三菱電機 Ulsi技開セ
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奥平 智仁
三菱電機(株)
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油谷 明栄
三菱電機(株)
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柏原 慶一朗
三菱電機(株)
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常峰 美和
三菱電機(株)
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伊藤 博巳
三菱電機(株)
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藤田 靖
菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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宮本 昭一
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
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黒井 隆
Ulsi技術開発センター
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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栄森 貴尚
三菱電機ulsi技術開発センター
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藤田 靖
菱電セミコンダクターエンジニアリング
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園田 賢一郎
三菱電機(株)
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柏原 慶一朗
(株)ルネサステクノロジ
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森下 玄
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
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奥平 智仁
(株)ルネサステクノロジ
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須賀原 和之
三菱電機 Ulsi開研
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西村 正
三菱電機 Ulsi技開セ
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山口 泰男
三菱電機 Ulsi開研
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佐山 弘和
三菱電機(株)
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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金井 直樹
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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高井 幹夫
大阪大学極限量子科学研究センター
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有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
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中川 直紀
(株)アドバンスト・ディスプレイ
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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上田 公大
三菱電機(株) システムLSI研究所
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松本 隆夫
三菱電機
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川島 光
三菱電機(株)ULSI研究所LSIプロセス開発第4部
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松本 拓治
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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前田 茂伸
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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平野 有一
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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山口 泰男
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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前川 繁登
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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犬石 昌秀
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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松本 拓治
三菱電機(株)
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新居 浩二
三菱電機(株)
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犬石 昌秀
三菱電機(株)
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平野 有-
三菱電機(株)
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和田 佳樹
三菱電機(株)
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堀田 勝之
三菱電機(株)
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内田 哲也
三菱電機(株)
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伊藤 康悦
三菱電機(株)
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金 逸中
三菱電機(株)
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新井 浩二
三菱電機(株)
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益子 耕一郎
三菱電機(株)
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清水 悟
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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鶴田 孝弘
三菱電機ULSI開発研究所
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日高 秀人
三菱電機ULSI開発研究所
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広瀬 正和
大王電機
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山口 泰男
三菱電機ULSI開発研究所
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藤島 一康
三菱電機北伊丹製作所
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須賀原 和之
三菱電機LSI研究所
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山口 泰男
三菱電機LSI研究所
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楠 茂
三菱電機LSI研究所
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井上 靖朗
三菱電機LSI研究所
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中屋 雅夫
三菱電機LSI研究所
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西村 正
三菱電機LSI研究所
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永久 克己
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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山口 偉人
(株)アドバンスト・ディスプレイ
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岸本 武久
大阪大学
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大野 良和
三菱電機(株)
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大野 吉和
三菱電機ULSI開発研究所
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原 成憲
大阪大学基礎工学部
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高井 幹夫
大阪大学基礎工学部
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大芦 敏行
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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大芦 敏行
三菱電機ULSI開発研究所
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井上 靖郎
三菱電機ULSI開発研究所
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益子 耕一郎
三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター
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堀田 勝之
Ulsi技術開発センター
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上田 公大
三菱電機株式会社
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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伊藤 康悦
ULSI技術開発センター
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清水 悟
三菱電機ULSI開発研究所
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広瀬 正和
大王電機株式会社
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鶴田 孝弘
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
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藤島 一康
三菱電機システムlsi事業化推進センター
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楠 茂
三菱電機株式会社ulsi開発研究所
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園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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高井 幹夫
大阪大学 極限科学研究センター
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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石津 顕
三菱電機
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石津 顕
三菱電機(株)tft開発・事業化推進室
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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西村 正
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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和田 佳樹
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
著作論文
- ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
- 256MビットDRAM以降対応のシャロートレンチ分離のストレス解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
- 低電圧対応WポリサイドデュアルゲートCMOS
- CMOS/SIMOX技術を用いた動作電圧範囲の広いSOI-DRAM
- 画像信号処理の基本機能を有する三次元構造デバイス : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
- レ-ザ-再結晶化法によるSOI
- 3層構造三次元回路素子
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
- コンタクト特性を考慮したa-Si:H TFTの電気的特性の解析
- イオンマイクロプローブを用いたDRAMのソフトエラー感応領域および高耐性構造の評価
- マイクロプローブによるDRAMソフトエラーの評価
- スタック型キャパシタ構造の薄膜SOI-DRAMプロセス
- BSTキャパシタに対するポストアニールの影響
- 電極構造が高誘電体キャパシタの電気的特性に与える影響
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
- 2)石英基板上のポリシリコン薄膜トランジスタアレイ(画像表示研究会(第75回))