内田 哲也 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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岡垣 健
(株)ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
-
石川 清志
ルネサステクノロジ
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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高篠 裕行
(株)ルネサステクノロジ
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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若原 祥史
(株)ルネサステクノロジ
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石川 清志
(株)ルネサステクノロジ
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土屋 修
株式会社ルネサステクノロジ
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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内田 哲也
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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西 謙二
近畿大学工業高等専門学校
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鎌倉 良成
大阪大学工学部
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谷口 研二
大阪大学工学部
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土屋 修
ルネサステクノロジ
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土屋 修
(株)ルネサステクノロジ
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天川 博隆
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鈴木 腕
株式会社半導体先端テクノロジーズ 基盤技術研究部
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堀田 勝之
Ulsi技術開発センター
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黒井 隆
Ulsi技術開発センター
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伊藤 康悦
ULSI技術開発センター
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竹中 正浩
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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石川 英明
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
-
内田 哲也
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
竹中 正浩
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
石川 英明
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
伊藤 早苗
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
佃 栄次
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
天川 博隆
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
西 謙二
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
-
園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
-
佃 栄次
ルネサステクノロジ株式会社
-
高篠 裕行
ルネサステクノロジ株式会社
-
岡垣 健
ルネサステクノロジ株式会社
-
内田 哲也
ルネサステクノロジ株式会社
-
林 岳
ルネサステクノロジ株式会社
-
永久 克己
ルネサステクノロジ株式会社
-
若原 祥史
ルネサステクノロジ株式会社
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石川 清志
ルネサステクノロジ株式会社
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井上 靖朗
ルネサステクノロジ株式会社
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
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小谷 教彦
広島国際大学 社会環境科学部
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西 謙二
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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西 謙二
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院
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西 謙二
株式会社半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)近畿大学工業高等専門学校
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五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
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国清 辰也
(株)ルネサステクノロジ
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園田 賢一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
五十嵐 元繁
(株)ルネサステクノロジ
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谷口 研二
大阪大
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小谷 教彦
広島国際大学社会環境科学部
-
小谷 教彦
広島国際大 社会環境科学
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Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
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Taniguchi K
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
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内田 哲也
三菱電機ulsi開発研究所
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国清 辰也
株式会社ルネサステクノロジ生産本部
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Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
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佐藤 真一
兵庫県立大学大学院工学研究科
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西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
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西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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塩沢 勝臣
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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西村 正
三菱電機(株)
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堀田 勝之
三菱電機(株)
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黒井 隆
三菱電機(株)
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内田 哲也
三菱電機(株)
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伊藤 康悦
三菱電機(株)
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井上 靖朗
三菱電機(株)
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栄森 貴尚
三菱電機ULSI開発研究所
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西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
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徳田 安紀
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
-
犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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塩沢 勝臣
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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内田 哲也
ULSI技術開発センター
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後藤 欣哉
ULSI技術開発センター
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井上 靖朗
ULSI技術開発センター
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佐藤 真一
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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犬石 昌秀
ULSI技術開発センター
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栄森 貴尚
三菱電機ulsi技術開発センター
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佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
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塩沢 勝臣
三菱電機(株)
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太田 和伸
三菱電機ULSI技術開発センター
-
杉原 浩平
三菱電機ULSI技術開発センター
-
内田 哲也
三菱電機ULSI技術開発センター
-
尾田 秀一
三菱電機ULSI技術開発センター
-
森本 博明
三菱電機ULSI技術開発センター
-
井上 靖朗
三菱電機ULSI技術開発センター
-
尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
太田 和伸
ソニー株式会社
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谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
後藤 欣哉
株式会社ルネサステクノロジ
-
西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
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徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
-
Taniguchi K
Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka
-
西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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Taniguchi Kenji
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
著作論文
- 256MビットDRAM以降対応のシャロートレンチ分離のストレス解析
- 内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナローチャネル効果の抑制
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発
- 局所歪みチャネル技術による高駆動能力55nmCMOSの作製
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発
- MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)