Taniguchi K | Osaka Univ. Osaka Jpn

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概要

• 同名の論文著者
• Osaka Univ. Osaka Jpnの論文著者

関連著者

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• Taniguchi K

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 谷口 研二

  大阪大

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• Taniguchi K

  Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• Taniguchi K

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• 谷口 研二

  大阪大学

• 谷口 研二

  大阪大学工学部

• 井戸 徹

  大阪大学

• 酒井 敦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大倉 俊介

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• 鎌倉 良成

  大阪大学工学部

• 大倉 鉄郎

  大阪大学大学院工学研究科

• 兼本 大輔

  大阪大学

• 辻 博史

  大阪大学大学院工学研究科

• 酒井 敦

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 辻 博史

  大阪大学大学院工学研究科:crest-jst

• Ido Toru

  The Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• Taniguchi Kenji

  The Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• 小野田 隆英

  大阪大学

• 大倉 俊介

  大阪大学工学研究科

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• TANIGUCHI Kenji

  Department of Cancer Research, Fuji Gotemba Research Laboratories, Chugai and Pharmaceutical Co

• Taniguchi Kenji

  Department Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• Matsuoka T

  Department Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• Matsuoka T

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Matsuoka Toshimasa

  The Graduate School Of Engineering Osaka University

• 森川 周一

  大阪大学大学院工学研究科

• 宇野 重康

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 鎌倉 良成

  大阪大学 工学部

• 宇野 重康

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻:(現)日立ヨーロッパ社

• 松岡 俊匡

  大阪大学大学院工学研究科

• 谷口 研二

  大阪大学 大学院 工学研究科

• 柴田 肇

  アナログ・デバイセズ

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ

• 内田 哲也

  (株)ルネサステクノロジ

• 夏 建新

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• 領家 弘典

  大阪大学工学部

• 斎藤 朋也

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• 土屋 修

  ルネサステクノロジ

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学部

• 神谷 武志

  東京大学大学院電子工学専攻

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 押方 理晃

  大阪大学

• TSUJI Hiroshi

  Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University

• 桐原 正治

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 佃 栄次

  ルネサステクノロジ株式会社

• 高篠 裕行

  ルネサステクノロジ株式会社

• 岡垣 健

  ルネサステクノロジ株式会社

• 内田 哲也

  ルネサステクノロジ株式会社

• 林 岳

  ルネサステクノロジ株式会社

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 永久 克己

  ルネサステクノロジ株式会社

• 若原 祥史

  ルネサステクノロジ株式会社

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ株式会社

• 井上 靖朗

  ルネサステクノロジ株式会社

• 照沼 知英

  早稲田大学工学部

• 渡邉 孝信

  早稲田大学工学部

• 品田 賢宏

  早稲田大学工学部

• 酒井 敦

  大阪大学工学研究科

• 内田 雅也

  大阪大学大学院工学研究科

• 三田 拓司

  大阪大学大学院工学研究科

• 松岡 俊匡

  大阪大学

• 澤田 康志

  松下電工(株)制御技術開発研究所

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 岡垣 健

  (株)ルネサステクノロジ

• 斎藤 朋也

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 夏 建新

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 金 良守

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 青木 丈典

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 古田 善一

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 金 良守

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• 神谷 武志

  東大工

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 高篠 裕行

  (株)ルネサステクノロジ

• 佃 栄次

  (株)ルネサステクノロジ

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 若原 祥史

  (株)ルネサステクノロジ

• 渡邉 孝信

  早稲田大学理工学術院

• 大倉 俊介

  大阪大学大学院工学研究科

• 土屋 修

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大泊 巌

  早大理工

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学術院

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science

• Tsuji Hiroshi

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• 松岡 俊匡

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• Tan Yong

  Microelectronics Research Centre Cavendish Laboratory University Of Cambridge:crest Jst (japan Scien

• Wang Jun

  Department Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• 大倉 鉄郎

  大阪大学工学研究科

• 石田 明寛

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻:(現)ソニー株式会社

• 高倉 信之

  松下電工(株)半導体応用技術研究所

• 毛野 拓治

  松下電工(株)半導体応用技術研究所

• 安田 正治

  松下電工(株)半導体応用技術研究所

• 井上 吉民

  松下電工M&V(株)

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 出口 和亮

  大阪大学大学院

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• FURUTA Yoshikazu

  Hitachi Cambridge Laboratory

• MIZUTA Hiroshi

  Hitachi Cambridge Laboratory

• NAKAZATO Kazuo

  Hitachi Cambridge Laboratory

• KAMIYA Toshio

  Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge

• DURRANI Zahid

  Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge

• TANIGUCHI Kenji

  Electronics, Information Systems and Energy Engineering, Osaka University

• Durrani Zahid

  Microelectronics Research Centre Cavendish Laboratory University Of Cambridge:crest Jst (japan Scien

• 森藤 正人

  大阪大学 工学部

• 酒井 敦

  大阪大学 工学部

• Katase Takayoshi

  Aterials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology

• 中辻 広志

  大阪大学大学院 工学研究科 電子情報エネルギー工学専攻

• 大泊 巌

  Faculty Of Science And Engineering Waseda University

• Kihara Takao

  Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka

• Mizuta H

  Hitachi Cambridge Laboratory:crest Jst (japan Science And Technology)

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 新谷 悟

  アナログ デバイセズ

• OKURA Tetsuro

  The Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University

• OKURA Shunsuke

  The Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University

• IDO Toru

  The Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University

• TANIGUCHI Kenji

  The Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University

• 細井 卓治

  大阪大学

• 森 伸也

  大阪大学 大学院工学研究科

• 辻 博司

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• SATO Hitoshi

  Research Institute for Health Fundamentals, Ajinomoto Co., Inc.

• 小田 浩太郎

  大阪大学

• 池田 智

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 葛岡 毅

  大阪大学大学院工学研究科

• 三原 理

  大阪大学大学院工学研究科

• 瀬恒 謙太郎

  大阪大学工学研究科附属高度人材育成センター

• 瀬恒 謙太郎

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター

• 白川 二

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター

• 河崎 達夫

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター

• 池田 智

  大阪大学

• 細井 宏昭

  大阪大学大学院工学研究科

• Sato Hisao

  Nitride Semiconductor Co. Ltd.

• 小林 弘幸

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 小林 弘幸

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• Hirose Tetsuya

  Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University

• 兼本 大輔

  大阪大学大学院工学研究科

• 兼本 大輔

  大阪大学工学研究科

• 兼本 大輔

  Osaka University Department of Electronics and Information Systems

• 大倉 俊介

  Osaka University Department of Electronics and Information Systems

• 谷口 研二

  Osaka University Department of Electronics and Information Systems

• 瀬恒 謙太郎

  大阪大学大学院工学研究科

• YAMASHITA Yoshio

  SORTEC Corporation

• Ahmed H

  Univ. Cambridge Cambridge Gbr

• 伊藤 良明

  日本テキサス・インスツルメンツ

• 井戸 徹

  大阪大学大学院工学研究科

• 大山 聡一朗

  日本テキサス・インスツルメンツ

• 有吉 勝彦

  日本テキサス・インスツルメンツ

• 新谷 悟

  日本テキサス・インスツルメンツ

• Sato H

  Research And Development Center Gunze Limited

• 日昔 崇

  大阪大学大学院工学研究科

• Omori Shinya

  Research & Development Center Stanley Electric Co. Ltd.

• Okura Tetsuro

  The Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• Sato Hiroyasu

  Faculty Of Engineering Mie University

• Okura Shunsuke

  The Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• BOGODA A.

  大阪大学工学研究科

• Bogoda A.

  大阪大学

• Sato Hiroharu

  Multimedia Eng. Lab.

• Furuhashi Masayuki

  Department of Electronics and Information Systems, Osaka University

• Tachi Masayuki

  Department of Electronics and Information Systems, Osaka University

• KIM Ryangsu

  Department of Electronics and Information Systems, Osaka University

• SHANO Toshihumi

  Department of Electronics and Information Systems, Osaka University

• Sato H

  Univ. Tokushima Tokushima Jpn

• 堀場 洋輔

  関西大学

• 池村 充史

  大阪大学

• 小林 弘幸

  大阪大学大学院工学研究科

• Matsuoka Toshimasa

  Department Of Electronic Engineering Osaka University

• WANG Jun

  Osaka University

• MATSUOKA Toshimasa

  Osaka University

• TANIGUCHI Kenji

  Osaka University

• AHMED Haroon

  Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge

• TAMURA HITOSHI

  Research Institute for Global Change, Japan Agency for Marine-Earth Science and Technology

• Hirose Tetsuya

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University

• Hirose Tetsuya

  Graduate School Of Engineering Kobe University

• TANIGUCHI Kenji

  Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University

• Taniguchi Kenji

  Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka

• Taniguchi Kenji

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• Yamaguchi Yoh-ichi

  Hoya Corporation

• Wang Jun

  Department Of Chemistry Faculty Of Science And Engineering Saga University

• Ham Hyunju

  Osaka University

• KIHARA Takao

  Osaka University

• MATSUOKA Toshimasa

  Division of Electrical, Electronics and Information Engineering, Osaka University

• Tamura Hitoshi

  Research & Development Center Stanley Electric Co. Ltd.

• Taniguchi K

  Kyushu Univ.

• Yamashita Y

  Graduate School Of Natural Science And Technology Okayama University

• Hirama Toshiyasu

  Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences

• Kim Ryangsu

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• Sato H

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Kumamoto University

• Tachi Masayuki

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• YAMASHITA Youji

  Research & Development Center, Stanley Electric Co., Ltd.

• HORIO Naochika

  Research & Development Center, Stanley Electric Co., Ltd.

• TANIGUCHI Kazuyoshi

  Research & Development Center, Stanley Electric Co., Ltd.

• CHINONE Takako

  Research & Development Center, Stanley Electric Co., Ltd.

• FUNAOKA Chihiro

  Research & Development Center, Stanley Electric Co., Ltd.

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著作論文

• TDCを用いたオーディオ用ADコンバータの設計検討
• A High Efficiency Variable Gain Amplifier Circuit with Controllable Transconductance Amp
• 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 非線形パルス幅変調を用いたTDC-ADCの構成と歪み補正手法の提案
• TDCを用いたADコンバータのDLLばらつきによる歪みの解析
• 二重フィードバックを用いスピーカインピーダンスの影響を低減したオーディオ用D級アンプの設計/評価
• 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ひずみSi-p型電界効果トランジスタのホール伝導特性に関する理論計算
• C-9-3 SoG液晶モジュール用アナログバッファ回路に関する研究(C-9. 電子ディスプレイ,一般セッション)
• Poly-Si TFTにおける容量 : 電圧特性のシミュレーションによる解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 数値シミュレーションに基づく10nmチャネル素子の電気伝導機構に関する考察(半導体Si及び関連材料・評価)
• ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 15nm以上の膜厚を有するシリコン酸化膜の絶縁破壊統計性(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細n-i-nダイオードの電流解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• P-36 大阪大学における社会人専門教育プログラム : エレクトロニクス産業を支える高度専門技術者の育成((25)高度専門技術者教育、社会人のための大学院工学教育,ポスター発表論文)
• 酸化膜絶縁破壊がMOSFETチャネル電流に与える影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ボロンの過渡拡散におけるバックグラウンド炭素濃度依存性
• 低エネルギー注入ボロンの低温熱処理時におけるキンク濃度の解析
• 同相除去比を強化した増幅器
• 連続サンプルコンパレータの解析と応用
• C-12-20 連続サンプルコンパレータの解析(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
• A-1-12 同相除去比を強化した増幅器(A-1. 回路とシステム, 基礎・境界)
• ダイナミックラッチを用いたパイプラインAD変換器用低消費電力コンパレータの一設計
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 大気圧プラズマ洗浄装置のICダメージ評価
• 大気圧プラズマ洗浄装置のICダメージ評価
• Column-Parallel ADC に用いる高精度, 小面積 D-Flip-Flop 回路
• C-12-14 小信号モデルを用いた可変利得増幅器用アンプの解析(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• Influences of Point and Extended Defects on As Diffusion in Si(Structure and Mechanical and Thermal Properties of Condensed Matter)
• 1.5bit量子化器を用いた Active-Passive 積分器による2次CT-DSMの構成法
• MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲/放出特性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細n-i-nダイオードの電流解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極薄シリコン酸化膜におけるPre-Breakdown現象のキャリヤセパレーション法による解析
• ホットホール注入によるトンネルゲート酸化膜の絶縁性劣化
• Control of Emission Wavelength of GaInN Single Quantum Well, Light Emitting Diodes Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition in a Split-Flow Reactor
• Characterization of Tunnel Barriers in Polycrystalline Silicon Point-Contact Single-Electron Transistors
• Carrier Transport across a Few Grain Boundaries in Highly Doped Polycrystalline Silicon : Electrical Properties of Condensed Matter
• Boron Emission Rate from Si/SiO_2 Interface Traps to Bulk Silicon for Dose Loss Modeling
• 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極薄酸化膜の直接トンネリング電流計算における複素バンド構造モデルの重要性
• 極薄酸化膜の直接トンネリング電流計算における複素バンド構造モデルの重要性
• Low-Voltage Wireless Analog CMOS Circuits toward 0.5V Operation
• 極薄ゲート酸化膜の長期信頼性劣化
• A Transformer Noise-Canceling Ultra-Wideband CMOS Low-Noise Amplifier
• 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• チャネル構成の変更可能なオーディオ用D級アンプの設計検討
• パイプライン方式逐次比較型A/Dコンバータにおける消費電力最適化の一手法
• A Dynamic Dither Gain Control Technique for Multi-Level Delta-Sigma DACs with Multi-Stage Second Order Dynamic Element Matching
• 時間量子化方式ADコンバータにおけるディザの最適化
• Application of Kelvin Technique in A Gas-Sensor Read-Out Circuit
• 歪みSiのバンド構造の経験的擬ポテンシャル法による解析
• 歪みSiのバンド構造の経験的擬ポテンシャル法による解析
• 逐次比較型ADコンバータのマルチビット化の一手法
• An Area-Efficient, Low-Power CMOS Fractional Bandgap Reference
• poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング(シリコン関連材料の作製と評価)
• A Multi-Stage Second Order Dynamic Element Matching with In-Band Mismatch Noise Reduction Enhancement
• 入出力相互コンダクタンス及び位相補償容量を可変とする可変利得増幅器の低消費電力化に関する検討(電子回路)
• マージド・キャパシタ・スイッチング法を用いたパイプラインA-DコンバータのMDACセグメント内差動キャパシタミスマッチに関する解析

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