Poly-Si TFTにおける容量 : 電圧特性のシミュレーションによる解析(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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短チャネルpoly-Si TFTの容量-電圧(C-V)特性について,2次元デバイスシミュレーションによる解析を行った.ボディSi膜中に結晶粒界が1本のみ存在する場合を想定したところ,ソース/ドレインへの電荷分割が粒界位置により大きく影響を受けることが分かった.この効果のため,ゲート-ソース間容量(C_<gs>)およびゲート-ドレイン間容量(C_<gd>)は,たとえソース-ドレイン間電圧がゼロであっても非対称となる場合がある.シミュレーションによって得られた素子内部物理量(電位やキャリア濃度分布等)を観察することで,粒界の存在が素子容量特性に与える影響について考察を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-12-07
著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
辻 博史
大阪大学大学院工学研究科
-
桐原 正治
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
葛岡 毅
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
辻 博史
大阪大学大学院工学研究科:crest-jst
-
谷口 研二
大阪大
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Taniguchi K
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
-
Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
Taniguchi K
Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka
-
Taniguchi Kenji
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
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