超低電圧動作ディジタルCMOS回路の特性補償に関する検討
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概要
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ディジタルCMOS回路を0.5V程度の低電源電圧で動作させる上で問題となる製造プロセスばらつきや温度依存性に対して強い回路構成を提案し,その効果を回路シミュレーションにより確認した.この提案技術は簡易な回路を用いつつも,ディジタルCMOS回路の安定した弱反転領域動作を可能とする.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-02-01
著者
-
王 軍
大阪大学大学院工学研究科
-
松岡 俊匡
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
安江 一紘
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
松岡 俊匡
大阪大学
-
松岡 俊匡
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
谷口 研二
大阪大 大学院工学研究科
-
王 軍
大阪大学
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