MOSFETマッチング特性の統計的評価とモデル化の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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本研究では,実際の測定から得た統計的なデータを元にして,MOSFETのマッチング特性の評価およびモデル化への検討を行った.MOSFETの特性を測定するにあたり,マッチング特性が評価されるチップレベルの小面積に,統計的なデータを取るのに十分な数のMOSFETを配置するために,被測定MOSFETをアレイ状に集積化して並べ,測定時にその中の1個を周辺回路によって選択する回路構成を用いた.この回路により,10,000個以上のMOSFETの統計からマッチング特性を取り出し,それを元にしてMOSFETのしきい値電圧,トランスコンダクタンスのモデル化を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-24
著者
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