バイアス・フィード抵抗付きP+/N接合を用いたCMOSプレディストータの試作、評価(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
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概要
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電力増幅器の非線形性を改善するために使用される線形化回路の中で、最も集積回路に適しているプレディストータをバイアスフィード抵抗付きP+/N接合ダイオードを用いて0.35-μmCMOSプロセスで試作及び評価した。このプレディストータの特性はダイオードの等価抵抗と容量に依存し、その等価パラメータがダイオードのサイズに深く関係する。異なるサイズのダイオードを用いた4種類のプレディストータの特性を比較し、ダイオードのサイズとプレディストータの特性との関係を調べた。また外部増幅器を用いて3次相互変調歪み特性を評価し、このプレディストータのCMOS電力増幅器への線形化器としての可能性を検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-05
著者
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