ポリSi TFTの過渡特性における自己発熱及びキンク効果の影響の分離評価
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概要
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ポリSi TFT のドレーンパルスに対する過渡応答の実測評価エり, 自己発熱効果による温度上昇と, インパクトイオン化現象にエる正孔の発生に伴うキンク効果がそれぞれ過渡特性を説明する主要なメカエズムであることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-01
著者
-
松岡 俊匡
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
久保田 靖
シャープ株式会社モバイル液晶事業本部
-
今井 繁規
シャープ株式会社
-
多田 憲史
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
廣瀬 哲也
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
前田 和宏
シャープ株式会社モバイル液晶事業本部
-
酒井 保
シャープ株式会社モバイル液晶事業本部
-
前田 和宏
シャープ株式会社 モバイル液晶事業本部 システム液晶事業部
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