FD-SOI MOSデバイスのRFモデリングに関する検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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FD-SOI CMOS RF回路の設計を目的として,FD-SOI MOSFETのRF特性のモデリングを行った.本稿ではソース接地型MOSFETのYパラメータに着目している.FD-SOI MOSFETの測定から得た出力側のYパラメータは,一般に用いられるMOSFETの小信号モデルの解析から得られるものと比較して,大きく異なる傾向を示した.これは,ドレイン電流の変動がドレイン・ソース間電圧変動に対して遅延を持っていることに起因する.この現象はバルクデバイスでは基板容量の影響が大きいために確認できないものである.我々は従来のMOSFETモデルにドレイン・ソース間電流の遅延の要素を加えることで,実測に近いMOSFETモデルを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-09-20
著者
-
松岡 俊匡
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
清水 由幸
大阪大学大学院工学研究科
-
清水 由幸
大阪大学
-
車 承佑
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギーエ学
-
洞木 吉博
大阪大学大学院工学研究科
-
村上 豊生
大阪大学大学院工学研究科
-
上田 啓介
大阪大学大学院工学研究科
-
車 承佑
大阪大学大学院工学研究科
-
金 杢哲
大阪大学大学院工学研究科
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