雑音と線形性を考慮したCMOS低雑音増幅器の設計手法に関する検討
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概要
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線形性の向上を目的とした低雑音増幅器(Low-Noise Amplifier: LNA)の設計手法について検討を行った.本論文で検討した設計手法を用いると,従来の設計手法と比較してLNAの三次入力インタセプトポイント(Input third-order Intercept Point: IIP_3)を2.0dB改善できることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-02-01
著者
-
松岡 俊匡
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
木原 崇雄
大阪大学大学院工学研究科
-
清水 由幸
大阪大学大学院工学研究科
-
清水 由幸
大阪大学
-
松岡 俊匡
大阪大学
-
金 奎哲
大阪大学大学院工学研究科
-
後藤 克
大阪大学大学院工学研究科
-
村上 豊生
大阪大学大学院工学研究科
-
上田 啓介
大阪大学大学院工学研究科
-
松岡 俊匡
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
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