バイアス・オフセットを用いたCMOS Linear-in-dB可変利得増幅回路の設計(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
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概要
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Linear-in-dB可変利得増幅器(VGA)を0.25-μm CMOSプロセスを用いて設計,試作及び評価を行った.広範囲な利得特性を有する可変線形化トランスコンダクタンスVGAを用いて2段縦列接続し,3段の固定利得増幅器(FGA)と合わせ,5段構成のVGAを設計した.今回は多段構成による周波数特性の低下を緩和するためのVGA単体の3dB周波数帯域向上に焦点を合わせた.測定により,試作したVGAは10dBから76.5dBまでの連続的な可変利得特性を示した.またIIP3とNFは周波数40MHzでそれぞれ-11.5dBmと15dBの結果であった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-07
著者
-
松岡 俊匡
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
車 承佑
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギーエ学
-
春岡 正起
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギーエ学
-
廣瀬 哲也
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
車 承佑
大阪大学大学院工学研究科
-
春岡 正起
大阪大学大学院工学研究科:古野電気株式会社
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