15nm以上の膜厚を有するシリコン酸化膜の絶縁破壊統計性(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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パワーMOSFETに使われる15nmを超える厚いゲート酸化膜について、絶縁破壊統計性を測定し、その破壊メカニズムを探った。厚膜のワイブル傾きはストレス条件に依存し、ストレス中の正孔電流密度と強い相関がある。今回我々はストレス印加時の膜中の正孔捕獲に着目し、その影響を取り入れた絶縁破壊パーコレーションモデルを提案した。新たなモデルを取り入れたシミュレーションの結果、厚膜の絶縁破壊におけるワイブル傾きのストレス強度依存性を定性的に説明することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
三原 理
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
三原 理
大阪大学大学院 工学研究科
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