鎌倉 良成 | 大阪大学大学院工学研究科

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概要

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• 大阪大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• Taniguchi K

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• 谷口 研二

  大阪大

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• Taniguchi K

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• 夏 建新

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• 斎藤 朋也

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• 金 良守

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• 酒井 敦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 鎌倉 良成

  大阪大学工学部

• 谷口 研二

  大阪大学工学部

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 斎藤 朋也

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 夏 建新

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 金 良守

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• Taniguchi K

  Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka

• Taniguchi Kenji

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学 大学院工学研究科

• 辻 博史

  大阪大学大学院工学研究科

• 青木 丈典

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 古田 善一

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 小林 弘幸

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• 酒井 敦

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 辻 博史

  大阪大学大学院工学研究科:crest-jst

• 小林 弘幸

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 小林 弘幸

  大阪大学大学院工学研究科

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• 江崎 達也

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 渡邉 孝信

  早稲田大学工学部

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 森川 周一

  大阪大学大学院工学研究科

• 宇野 重康

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 鎌倉 良成

  大阪大学 工学部

• 宇野 重康

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻:(現)日立ヨーロッパ社

• 久木田 健太郎

  大阪大学大学院工学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学 大学院工学研究科

• 渡邉 孝信

  早稲田大学 理工学術院

• 谷口 研二

  大阪大学 大学院 工学研究科

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ

• 内田 哲也

  (株)ルネサステクノロジ

• 領家 弘典

  大阪大学工学部

• 土屋 修

  ルネサステクノロジ

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 桐原 正治

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 佃 栄次

  ルネサステクノロジ株式会社

• 高篠 裕行

  ルネサステクノロジ株式会社

• 岡垣 健

  ルネサステクノロジ株式会社

• 内田 哲也

  ルネサステクノロジ株式会社

• 林 岳

  ルネサステクノロジ株式会社

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 永久 克己

  ルネサステクノロジ株式会社

• 若原 祥史

  ルネサステクノロジ株式会社

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ株式会社

• 井上 靖朗

  ルネサステクノロジ株式会社

• 照沼 知英

  早稲田大学工学部

• 品田 賢宏

  早稲田大学工学部

• 酒井 敦

  大阪大学工学研究科

• 内田 雅也

  大阪大学大学院工学研究科

• 三田 拓司

  大阪大学大学院工学研究科

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 岡垣 健

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 高篠 裕行

  (株)ルネサステクノロジ

• 佃 栄次

  (株)ルネサステクノロジ

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 若原 祥史

  (株)ルネサステクノロジ

• 渡邉 孝信

  早稲田大学理工学術院

• 土屋 修

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大泊 巌

  早大理工

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学術院

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science

• 石田 明寛

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻:(現)ソニー株式会社

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 出口 和亮

  大阪大学大学院

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 森藤 正人

  大阪大学 工学部

• 酒井 敦

  大阪大学 工学部

• 中辻 広志

  大阪大学大学院 工学研究科 電子情報エネルギー工学専攻

• 大泊 巌

  Faculty Of Science And Engineering Waseda University

• 大泊 巌

  早大

• 大泊 巌

  早稲田大学

• 大泊 巌

  早大・理工

• 品田 賢宏

  早稲田大学

• 太田 俊史

  大阪大学大学院工学研究科

• 内田 雅也

  大阪大学大学院 工学研究科

• 三田 拓司

  大阪大学大学院 工学研究科

• 谷口 研二

  大阪大学

• 木村 千春

  大阪大学大学院工学研究科

• 青木 秀充

  大阪大学大学院工学研究科

• 細井 卓治

  大阪大学

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 二ツ木 高志

  オルガノ株式会社

• 池田 智

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 葛岡 毅

  大阪大学大学院工学研究科

• 三原 理

  大阪大学大学院工学研究科

• 池田 智

  大阪大学

• 細井 宏昭

  大阪大学大学院工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 小松 直佳

  大阪大学大学院工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 二ツ木 高志

  東北大学電気通信研究所

• 日昔 崇

  大阪大学大学院工学研究科

• 青木 秀充

  大阪大 大学院工学研究科

• 大江 太郎

  オルガノ株式会社 Scwo部

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 佐藤 智久

  大阪大学大学院工学研究科

• ニツ木 高志

  オルガノ株式会社

• 大江 太郎

  オルガノ

• 大江 太郎

  オルガノ株式会社

• 日昔 崇

  大阪大学大学院工学研究科:関西大学大学院工学研究科:(現)jvc・ケンウッド・ホールディングス(株)

• 大毛利 健治

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 神岡 武文

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 今井 裕也

  早稲田大学理工学術院

• 渡邉 孝信

  早稲田大学理工学術院:jst-crest

• 今井 裕也

  早稲田大学 理工学術院

• 神岡 武文

  早稲田大学 理工学術院

• 渡邊 龍太

  大阪大学大学院工学研究科

• 三原 理

  大阪大学大学院 工学研究科

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著作論文

• 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ひずみSi-p型電界効果トランジスタのホール伝導特性に関する理論計算
• C-9-3 SoG液晶モジュール用アナログバッファ回路に関する研究(C-9. 電子ディスプレイ,一般セッション)
• Poly-Si TFTにおける容量 : 電圧特性のシミュレーションによる解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 数値シミュレーションに基づく10nmチャネル素子の電気伝導機構に関する考察(半導体Si及び関連材料・評価)
• ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 15nm以上の膜厚を有するシリコン酸化膜の絶縁破壊統計性(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細n-i-nダイオードの電流解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 酸化膜絶縁破壊がMOSFETチャネル電流に与える影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ボロンの過渡拡散におけるバックグラウンド炭素濃度依存性
• 低エネルギー注入ボロンの低温熱処理時におけるキンク濃度の解析
• シリコン中の{311}欠陥へのボロンの析出:第1原理計算に基づく検証
• Siイオン注入ダメージによるAsの過渡増速拡散
• 格子間シリコン原子拡散のバックグラウンド炭素濃度依存性
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 2010 SISPADレビュー(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲/放出特性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細n-i-nダイオードの電流解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極薄シリコン酸化膜におけるPre-Breakdown現象のキャリヤセパレーション法による解析
• ホットホール注入によるトンネルゲート酸化膜の絶縁性劣化
• Siイオン注入ダメージによるAsの過渡増速拡散
• Siイオン注入ダメージによるAsの過渡増速拡散
• 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極薄酸化膜の直接トンネリング電流計算における複素バンド構造モデルの重要性
• 極薄酸化膜の直接トンネリング電流計算における複素バンド構造モデルの重要性
• 極薄ゲート酸化膜の長期信頼性劣化
• 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 格子間シリコン原子拡散のバックグラウンド炭素濃度依存性
• 格子間シリコン原子拡散のバックグラウンド炭素濃度依存性
• 超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• 歪みSiのバンド構造の経験的擬ポテンシャル法による解析
• 歪みSiのバンド構造の経験的擬ポテンシャル法による解析
• poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング(シリコン関連材料の作製と評価)
• 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送シミュレーション
• poly-Si TFT のオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング
• 経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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