極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
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概要
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極薄酸化膜における絶縁破壊実験から得られた知見をもとに,ゲードリークを考慮したコンパクトモデルを確立し、絶縁破壊が回路動作や消費電力に対してどのように影響を受けるかをシミュレーションした.絶縁破壊後のMOSFET用回路モデルを組み込んだSPICEシミュレーションをCMOSインパークに対して行った結果,インバータ特性の劣化や消費電力の増大という問題を引き起こすことが判明した.
- 2003-09-22
著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
-
森川 周一
大阪大学大学院工学研究科
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