細井 卓治 | 大阪大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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有村 拓晃
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筑波大院数物
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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北野 尚武
大阪大学大学院工学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
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半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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細井 卓治
大阪大学
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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喜多 祐起
大阪大学大学院工学研究科
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Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
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森川 周一
大阪大学大学院工学研究科
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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大嶽 祐輝
大阪大学大学院工学研究科
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中村 孝
ローム株式会社
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中野 佑紀
ローム株式会社
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渡部 平司
大阪大学
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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岡本 学
大阪大学大学院工学研究科
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朽木 克博
大阪大学大学院工学研究科
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佐伯 雅之
大阪大学大学院工学研究科
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奥 雄大
大阪大学大学院工学研究科
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力石 薫介
大阪大学大学院工学研究科
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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箕浦 佑也
大阪大学大学院工学研究科
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中村 亮太
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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東雲 秀司
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
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柏木 勇作
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
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保坂 重敏
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
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浅原 浩和
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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谷口 研二
大阪大学
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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小須田 求
キヤノンアネルバ株式会社
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小須田 求
キヤノンアネルバ
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有村 拓晃
大阪大学
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奥 雄大
大阪大学
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志村 考功
大阪大学
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北野 尚武
大阪大学
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内藤 裕一
産業技術総合研究所
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山口 述夫
キヤノンアネルバ
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広大院先端研
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小野 倫也
阪大院工
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足立 哲也
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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安武 潔
大阪大学大学院工学研究科
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吉越 章隆
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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芝原 健太郎
広大
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安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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山部 紀久夫
筑波大学
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大毛利 健治
早稲田大学
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中島 清美
物質・材料研究機構
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石川 恵子
物質・材料研究機構
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杉田 義博
半導体先端テクノロジーズ
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中村 亮太
ローム株式会社研究開発本部
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小野 倫也
大阪大学大学院工学研究科:大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター
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白石 博之
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広大
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阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
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齊藤 真里奈
大阪大学工学部
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齊藤 正一朗
大阪大学大学院工学研究科
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宇野 重康
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
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出口 和亮
大阪大学大学院
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法澤 公成
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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佐野 孝輔
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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鎌倉 良成
大阪大学 工学部
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白石 博之
広島大学ナノデバイス・システム研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科
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齊藤 正一朗
阪大院工
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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宇野 重康
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻:(現)日立ヨーロッパ社
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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鎌倉 良成
大阪大学 大学院工学研究科
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻
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糟谷 篤志
大阪大学大学院工学研究科
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吉越 章隆
日本原子力研究所
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寺岡 有殿
日本原子力研究所
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中野 佑紀
ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター
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箕谷 周平
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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中野 佑紀
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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チャンタパン アタウット
大阪大学大学院工学研究科
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田中 亮平
大阪大学大学院工学研究科
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秀島 伊織
大阪大学大学院工学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
著作論文
- 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
- 真空一貫原子制御PVDプロセスによるTiO_2/HfSiO/SiO_2積層構造 High-k 絶縁膜の作製と電気特性評価
- GeO_2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ゲルマニウム窒化膜の形成と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Pd_2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ゲート酸化膜の長期信頼性劣化
- 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
- 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO_2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 (シリコン材料・デバイス)
- 放射光X線トポグラフィによる極薄ひずみSi層の結晶性評価
- 熱酸化SiO/SiC界面原子構造と界面電気特性の評価 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- High-κゲートスタック技術の進展と最新動向 (特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)
- 1-2 High-kゲートスタック技術の進展と最新動向(1.CMOS技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-k ゲートスタック技術の進展と最新動向
- 熱酸化SiO_2/SiC界面原子構造と界面電気特性の評価