極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Geは高いキャリア移動度を有することから、次世代CMOSデバイスのチャネル材料として有望視されている。Ge-MOSのゲート絶縁膜として、我々は極薄GeO_2膜に高密度プラズマ窒化処理を施してGe_3N_4キャップ層を形成した酸窒化(GeON)膜を提案している。今回、極薄GeON膜を用いたMOSFETを試作し、そのデバイス特性を評価した。ゲートスタック作製プロセスを最適化することにより、1.4nmという極薄EOTでp-及びn-MOSFET両方の動作に成功し、Siユニバーサル移動度に対して正孔移動度は2.5倍、電子移動度はほぼ同等という優れた特性を実現した。以上の結果は、極薄GeON膜が高移動度Ge CMOSの絶縁膜として有望であることを示している。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-06-14
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