金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
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概要
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- 2008-07-10
著者
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
白石 賢二
筑波大院数物
-
志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
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広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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喜多 祐起
大阪大学大学院工学研究科
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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