Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
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概要
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現在、薄膜トランジスタに代表される大面積電子デバイスの高性能化には、大粒径多結晶Si薄膜の形成が必要とされている。我々は、ガラス基板上においてa-Geの固相結晶化と酸素エッチングによって作製した、Ge微結晶をSi結晶成長の核として用いることを提案し、Ge微結晶核によってa-Siの固相結晶化時間が大幅に短縮できることを示した。本研究では、種々の成膜条件によって形成したa-Si膜の結晶化過程を、ラマン散乱分光法により調べた。その結果、結晶化の活性化エネルギーはa-Siの成膜条件によって大きく異なることがわかった。さらに、フーリエ変換赤外分光測定(FTIR)及び昇温脱離法(TDS)による膜中水素濃度の測定結果から、Si-H結合の増加が結晶化の促進に寄与していることが明らかとなった。
- 2008-04-04
著者
-
志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
-
大参 宏昌
大阪大学大学院工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学大学院工学研究科
-
吉本 千秋
大阪大学大学院工学研究科
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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