熱酸化SiO_2/SiC界面原子構造と界面電気特性の評価

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本表面科学会の論文
• 2012-11-10

著者

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

関連論文

• 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
• 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 真空一貫原子制御PVDプロセスによるTiO_2/HfSiO/SiO_2積層構造 High-k 絶縁膜の作製と電気特性評価
• GeO_2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
• Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 技術解説 高誘電率ゲート絶縁膜開発の現状
• グリーンエネルギーと応用物理
• ゲルマニウム窒化膜の形成と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 低損傷スパッタ成膜装置を用いた真空一貫メタル電極/高誘電率絶縁膜ゲートスタック作製技術の提案
• MOSトランジスタ : ゲート絶縁膜形成技術の進展と今後の展開
• 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Pd_2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
• Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
• 極薄ゲート酸化膜の長期信頼性劣化
• 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
• 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 走査型容量顕微鏡による誘電体/伝導性薄膜観察 (小特集 半導体産業で利用される走査プローブ顕微鏡技術)
• 走査型容量顕微鏡による誘電体/伝導性薄膜観察
• 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO_2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 (シリコン材料・デバイス)
• 放射光X線トポグラフィによる極薄ひずみSi層の結晶性評価
• 熱酸化SiO/SiC界面原子構造と界面電気特性の評価 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
• High-κゲートスタック技術の進展と最新動向 (特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)
• 走査型容量顕微鏡による誘電体／伝導性薄膜観察
• 1-2 High-kゲートスタック技術の進展と最新動向(1.CMOS技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
• 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
• SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• High-k ゲートスタック技術の進展と最新動向
• 熱酸化SiO_2/SiC界面原子構造と界面電気特性の評価

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク