Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
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概要
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- 2006-09-13
著者
-
知京 豊裕
物材機構
-
吉武 道子
物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
CHANG K.-S.
National Institute for Standards and Technology
-
GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
-
赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
-
Nara Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
知京 豊裕
金属材料技術研究所
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
白石 賢二
筑波大学
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
-
Green M.
National Institute Of Standards And Technology
-
AKASAKA Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
-
UMEZAWA N.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
-
OHMORI K.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
-
CHIKYOW T.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
-
AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
-
SHIRAISHI K.
University of Tsukuba
-
YAMABE K.
University of Tsukuba
-
WATANABE H.
Osaka University
-
AKASAKA Y.
Selete
-
NAKAJIMA K.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
-
YOSHITAKE M.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
-
NAKAYAMA T.
Chiba University
-
KAKUSHIMA K.
Tokyo Institute of Technology
-
NARA Y.
Selete
-
IWAI H.
Tokyo Institute of Technology
-
YAMADA K.
Waseda University
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
吉武 道子
物質・材料研究機構
-
吉武 道子
「応用物理」 編集委員会
-
吉武 道子
物質材料研究機構 半導体材料研究センター
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
-
吉武 道子
金材技研
-
Umezawa N.
Advanced Electronic Materials Center National Institute For Materials Science
-
Nakaoka T.
Chiba University
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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