コンビナトリアル手法を用いたナノエレクトロニクス材料における合金薄膜材料開発 (特集 傾斜機能材料の開発と新展開)
スポンサーリンク
概要
著者
-
知京 豊裕
物材機構
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
-
知京 豊裕
金属材料技術研究所
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
-
知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
-
長田 貴弘
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
関連論文
- 22pGS-16 Quaterrylene有機薄膜における格子歪みの制御と成長過程に及ぼす影響(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 28aRG-11 高濃度ボロンドープダイヤモンド単結晶薄膜の結晶構造とTcの膜厚依存性(層状窒化物・その他の超伝導,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- GaAs-Feグラニュラー膜のナノ構造同定と光磁性
- 光電子収量分光における2次電子閾値の検討
- 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- コンビナトリアル手法を用いたナノエレクトロニクス材料における合金薄膜材料開発 (特集 傾斜機能材料の開発と新展開)
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 低エネルギー集束GaイオンビームのCaAs基板への照射効果
- 金属酸化物を用いた原子スイッチ中間層材料の検討 ([日本電子材料技術協会]第44回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
- 集束イオンビームCVD法によるGaN立体構造の作製と評価 ([日本電子材料技術協会]第42回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
- 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Si 結晶中に埋め込まれた FeSi_2 のTEM観察
- 24pRL-11 分子超格子デバイスの作製と電子・光物性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- コンビナトリアル手法によるHfO_2系酸化膜の電気特性評価 : 熱力学観点からの材料選択と界面制御(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 低エネルギー集束イオンビームによるGaAs微細構造の作製
- 30aRD-2 バイアス電圧印加硬X線光電子分光法による界面電子状態の高感度観測(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-2 硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内のポテンシャル分布の直接観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ゲートスタック材料の変遷とその界面制御
- コハク酸のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- グルタル酸の Cu(110)表面での吸着構造
- N-Acetylglycine のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- Cu(110)表面でのハイドロムコン酸の吸着状態
- Cu(110)表面でのアジピン酸の吸着状態 (第24回表面科学講演大会論文特集(3))
- 24aXB-3 Tc(offset)>10Kの高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)薄膜における超伝導特性(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- イオンビーム照射による"量子箱"作製装置の試作
- 次世代ゲート絶縁膜の課題とコンビナトリアル手法による材料探索
- Tri-Phase Epitaxyによる高温超伝導,単結晶薄膜の作製
- Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
- Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
- Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
- First-principles studies on metal induced gap states (MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces
- 原子的尺度で見たシリサイド/シリコン界面の構造と性質--ショットキ-障壁の問題を中心として
- Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors
- デバイス動作下硬X線光電子分光法による最先端材料の物性解明 (第30回表面科学学術講演会特集号(1))
- 有機薄膜の成長機構に及ぼす格子歪みの効果 : クォテリレン薄膜を例として
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- デバイス動作下硬X線光電子分光法による最先端材料の物性解明
- 科学技術動向研究 無機材料研究におけるマテリアルインフォマティックスの動向
- 先端研究拠点事業:コンビナトリアル手法による新材料開発とその情報化に関する国際協力体制の構築
- コンビナトリアルナノケミストリーと電子材料開発への展開 (特集:エレクトロニクスの最先端とナノケミストリー)
- 27pTB-12 分子超格子のデバイス物性と励起子挙動(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-12 分子超格子のデバイス物性と励起子挙動(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- ショットキーバリア高さ制御のための元素添加によるアルミナ-金属界面結合変化の定量的予測式
- アルミナ-金属界面の結合を介する原子の種類を予測する一般式
- 熱力学計算によるチオール・カルボン酸の様々な無機基板表面への化学吸着の考察
- 金属シェルで覆われた有機ポリマーのプラスチック基材に対する密着