First-principles studies on metal induced gap states (MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces
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概要
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- 2005-09-13
著者
-
知京 豊裕
物材機構
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
-
赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
-
Nara Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
知京 豊裕
金属材料技術研究所
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
白石 賢二
筑波大学
-
SHIRAISHI K.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
-
AKASAKA Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
-
YAMADA K.
Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University
-
NARA Y.
Selete
-
NAKAOKA T.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
Yamabe K.
Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba
-
Nakaoka T.
Chiba University
-
Shiraishi K.
Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba
-
Akasaka Y.
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)
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