シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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高分解能RBS,高分解能ERDを用いて,極薄のhigh-kゲート絶縁膜とSi(001)基板との界面の深さプロファイルを測定した研究を2件紹介する.Si(001)上に約3nmのHfO_2を成長させた試料(SiO_2界面層0.7nm)を0.1Torrの酸素雰囲気中でアニール(500-900℃)し,高分解能RBS分析を行った.アニールによって,界面層の増膜とともに新たに界面で酸化されたSi数の20-30%に相当する量のSiが表面に移動するのが観察された.HF洗浄したSi(001)上に室温で約3nmのLa_2O_3を成長させた後に窒素雰囲気中でアニール(300-700℃)した試料について,高分解能ERDで水素の深さプロファイル測定を行った.as-grownの試料では界面付近に約10^<15>cm^<-2>の水素が分布しているが,500℃以上のアニールで濃度が大きく減少することが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-07
著者
-
鈴木 基史
京大院工
-
鈴木 基史
産業技術総合研究所
-
鈴木 基史
京大
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
中嶋 薫
京大工
-
木村 健二
京大工
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
角嶋 邦之
東工大総理工
-
岩井 洋
東工大フロンティア研
-
中嶋 薫
京大院工
-
木村 健二
京大院工
-
中嶋 薫
京都大学大学院工
-
鈴木 基史
京都大学大学院工
-
木村 健二
京都大学大学院工
-
木村 健二
京大 大学院工学研究科
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
趙 明
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
-
植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
-
鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
-
角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
-
岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
-
舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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