EBブロック露光におけるマスクバイアス条件

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概要

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クーロン相互作用は、ブロック露光等の部分一括露光方式のEBリソグラフィー技術において0.13μmL/S等の微細パターンの解像阻害要因である。本論文では50kVブロック露光装置を用いて、クーロン効果を実験的に解析し、解像性向上のための方法を検討した。クーロン効果を特徴づける電子ビームボケをナイフエッジ法により取得した。その結果、ビームボケは電流増加にしたがって単調に、ほぼ線形に増加すること、リフォーカス技術によってクーロン効果の抑制が可能であるが十分ではないことが明らかになった。0.13μmL/Sを解像するための電流抑制法を検討した結果、マスクバイアス法が有効であることが分った。マスクバイアス法と電流密度抑制の組み合わせにより、0.13μm、0.12μm、0.10μmのL/Sのパターン解像に成功した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-11-20

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