HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
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概要
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- 2008-05-14
著者
-
白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
-
山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
白石 賢二
筑波大院数物
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
宮崎 誠一
広島大学 工学部
-
佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
-
山部 紀久夫
筑波大学
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
-
白石 賢二
筑波大学
-
蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
宮崎 誠一
広大
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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