酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Si(001)上に約4nmのHfO_2を成長させた試料(SiO_2界面層0.7nm)を0.1 Torrの酸素雰囲気中でアニール(500-900℃)し,高分解能RBS分析を行った.アニールによって,界面層の増膜とともに新たに界面で酸化されたSi数の20-30%に相当する量のSiが表面に移動した.また膜中での酸素の移動を調べるため,同位体酸素(質量数18)中でアニール(900℃, 20分)を行った.^<18>OはHfO_2膜中に一様に分布していたが,SiO_2界面層中では一部の浅い領域だけに分布しており,アニールによって新たに形成されたSiO_2界面層にはほとんど分布していなかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-14
著者
-
鈴木 基史
京大院工
-
鈴木 基史
産業技術総合研究所
-
鈴木 基史
京大
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
中嶋 薫
京都大学大学院工
-
鈴木 基史
京都大学大学院工
-
木村 健二
京都大学大学院工
-
趙 明
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
-
植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
-
鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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