山田 啓作 | 筑波大学数理物質科学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 筑波大学数理物質科学研究科の論文著者

関連著者

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物質材料研究機構(NIMS)

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• AKASAKA Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• Nara Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 北島 洋

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 有門 経敏

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 渡部 平司

  大阪大学

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 櫻井 蓉子

  筑波大院数物

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 志村 考功

  大阪大学大学院工学研究科

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 北島 洋

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 有門 経敏

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• 喜多 祐起

  大阪大学大学院工学研究科

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• SHIRAISHI K.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• YAMADA K.

  Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• 鈴木 基史

  京大院工

• 鈴木 基史

  産業技術総合研究所

• 鈴木 基史

  京大

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 鈴木 良一

  産総研

• 大平 俊行

  産総研

• 上殿 明良

  筑波大学数理物質科学研究科

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 山田 啓作

  物質材料研究機構(NIMS)

• 大毛利 健治

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• AHMET P.

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• CHANG K.-S.

  National Institute for Standards and Technology

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 中嶋 薫

  京都大学大学院工

• 鈴木 基史

  京都大学大学院工

• 木村 健二

  京都大学大学院工

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 中山 恒義

  北大院工

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 宮崎 誠一

  広島大学 工学部

• 趙 明

  京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 植松 真司

  NTT物性科学基礎研究所

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 名取 研二

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 杉田 義博

  半導体先端テクノロジーズ

• 佐藤 創志

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 角嶋 邦之

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• AHMET Parhat

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 大平 俊行

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 宮崎 誠一

  広大

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• YAMABE K.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• UMEZAWA N.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• UEDONO A.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• OHMORI K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• CHIKYOW T.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• 大塚 崇

  筑波大学数理物質科学研究科

• 伊東 健一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 梅澤 直人

  物質材料研究機構(NIMS)

• 犬宮 誠治

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 神山 聡

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 赤坂 泰志

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 後藤 正和

  筑波大学数理物質科学研究科

• 樋口 恵一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 池内 恒平

  筑波大学数理物質科学研究科

• ABUDUL Hamid

  物質材料研究機構(NIMS)

• 三橋 理一郎

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 堀内 淳

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 鳥居 和功

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 樋口 恵一

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 後藤 正和

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 蓮沼 隆

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 赤坂 泰志

  Selete

• 奈良 安雄

  Selete

• Miyazaki Seiichi

  Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University

• 細井 卓治

  大阪大学

• 堀内 淳

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 鯉沼 秀臣

  東京大学工学部工業化学科

• 中嶋 薫

  京大工

• 木村 健二

  京大工

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 中嶋 薫

  京大院工

• 木村 健二

  京大院工

• 木村 健二

  京大 大学院工学研究科

• 足立 哲也

  物質・材料研究機構

• 石川 大

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 吉武 道子

  (独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター

• 舘 喜一

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 角嶋 邦之

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 岩井 洋

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 門島 勝

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 杉田 義博

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 中島 清美

  物質材料機構

• 網中 敏夫

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 黒澤 悦男

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 中塚 理

  名古屋大学

• 蓮沼 隆

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 赤坂 泰志

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 中岡 高司

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中村 源治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 太田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 中嶋 薫

  京大 大学院工学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター

• 山部 紀久夫

  筑波大学物理工学系

• 石川 恵子

  物質・材料研究機構

• 山部 紀久夫

  筑波大電子・物理工

• 山田 啓作

  早大ナノテク研

• Boero M.

  筑波大学物理学系

• 梅澤 直人

  南カリフォルニア大

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ (selete)

• パールハット アヘメト

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• アヘメト パールハット

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 蓮沼 隆

  筑波大学 電子・物理工学専攻

• 三橋 理一郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 犬宮 誠治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 長谷川 顕

  東京工業大学

• 田森 妙

  東京工業大学

• Ahmet Parhat

  物質材料研究機構

• Kukurznyak Dmitry

  物質材料研究機構

• 中島 清美

  物質材料研究機構

• 鯉沼 秀臣

  早稲田大学ナノテクセンター

• 鯉沼 秀臣

  東京大学新領域創成科学研究科

• アヘメト パールハット

  東京工業大学フロンティア研究機構

• Miyazaki S

  Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn

• Miyazaki Seiichi

  Dept. Of Electrical Engineering Hiroshima University

• 後藤 正和

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ

• 鯉沼 秀臣

  東京工大 応用セラミックス研

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• Miyazaki Seiichi

  Faculty Of Engineering Hiroshima University

• NAKAMURA G.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• KADOSHIMA M.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• WATANABE H.

  Graduate School of Engineering, Osaka University

• OHMORI K.

  Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University

• OHJI Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• INUMIYA S.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• MIYAZAKI S.

  Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima Univ.

• HASUNUMA R.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• MOMIDA H.

  Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science

• OHNO T.

  Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science

• SHIRAISHI K.

  University of Tsukuba

• YAMABE K.

  University of Tsukuba

• WATANABE H.

  Osaka University

• AKASAKA Y.

  Selete

• NAKAJIMA K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• YOSHITAKE M.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

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著作論文

• キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 (シリコン材料・デバイス)
• 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
• 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
• 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
• メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• ULSIプロセス・デバイス技術と計算科学の融合
• Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• コンビナトリアル手法によるHfO_2系酸化膜の電気特性評価 : 熱力学観点からの材料選択と界面制御(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
• Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
• Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
• First-principles studies on metal induced gap states (MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces
• 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
• Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTM-8 シリコンナノレイヤー中電子正孔液滴発光の膜厚依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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