AHMET P. | Tokyo Institute of Technology

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概要

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• Tokyo Institute of Technologyの論文著者

関連著者

• 知京 豊裕

  物材機構

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 大毛利 健治

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• AHMET P.

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• CHANG K.-S.

  National Institute for Standards and Technology

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  「応用物理」 編集委員会

• Ahmet P.

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  物質材料研究機構 半導体材料研究センター

• 吉武 道子

  金材技研

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 渡部 平司

  大阪大学

• 赤坂 泰志

  Selete

• 奈良 安雄

  Selete

• Nara Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 中山 恒義

  北大院工

• 吉武 道子

  (独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 赤坂 泰志

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 中岡 高司

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中村 源治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 太田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• AKASAKA Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• UMEZAWA N.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• OHMORI K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• CHIKYOW T.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• SHIRAISHI K.

  University of Tsukuba

• YAMABE K.

  University of Tsukuba

• WATANABE H.

  Osaka University

• AKASAKA Y.

  Selete

• NAKAJIMA K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• YOSHITAKE M.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• NAKAYAMA T.

  Chiba University

• KAKUSHIMA K.

  Tokyo Institute of Technology

• NARA Y.

  Selete

• IWAI H.

  Tokyo Institute of Technology

• YAMADA K.

  Waseda University

• 吉武 道子

  金属材料技術研究所

• 吉武 道子

  科学技術庁金属材料技術研究所

• 中山 隆史

  干葉大理

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究料

• Umezawa N.

  Advanced Electronic Materials Center National Institute For Materials Science

• Nakaoka T.

  Chiba University

• Ahmet Parhat

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

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著作論文

• 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2

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