吉武 道子 | (独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター
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概要
関連著者
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吉武 道子
(独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター
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吉武 道子
物質・材料研究機構
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吉武 道子
金属材料技術研究所
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吉武 道子
科学技術庁金属材料技術研究所
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吉武 道子
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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吉武 道子
「応用物理」 編集委員会
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吉武 道子
金材技研
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吉武 道子
物質材料研究機構 半導体材料研究センター
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柳生 進二郎
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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柳生 進二郎
筑波大学物理工学系
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柳生 進二郎
物質・材料研究機構manaナノエレクトロニクス材料ユニット
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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吉武 道子
金属材料技術研究所筑波支所
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柳生 進二郎
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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柳生 進二郎
物質・材料研究機構 ナノエレクトロニクス材料ユニット
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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吉原 一紘
金材技研
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山内 康弘
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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SONG Weijie
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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Song Weijie
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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生貝 初
鈴鹿工業高等専門学校 生物応用化学科
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吉武 道子
「応用物理」編集委員会
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兼松 秀行
鈴鹿工業高等専門学校材料工学科
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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APARNA Yarrama-Reddy
金属材料技術研究所
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Aparna Y.
金属材料技術研究所
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兼松 秀行
鈴鹿高専
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生貝 初
鈴鹿工業高等専門学校生物応用化学科
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兼松 秀行
鈴鹿工業高等専門学校 材料工学科
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生貝 初
鈴鹿工業高等専門学校
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兼松 秀行
鈴鹿工業高等専門学校
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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小川 亜希子
鈴鹿工業高等専門学校
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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渡部 平司
大阪大学
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赤坂 泰志
Selete
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CHANG K.-S.
National Institute for Standards and Technology
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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奈良 安雄
Selete
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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黒田 大介
鈴鹿工業高等専門学校材料工学科
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吉村 雅満
「応用物理」編集委員会
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田畑 仁
「応用物理」編集委員会
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平山 博之
「応用物理」編集委員会
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相澤 龍彦
東京大学先端科学技術研究センター
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金 兌映
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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多辺 由佳
「応用物理」編集委員会
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多辺 由佳
工業技術院電子技術総合研究所
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山部 紀久夫
筑波大学
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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工藤 一浩
「応用物理」編集委員会
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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BERA Santanu
物質・材料研究機構
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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田畑 仁
阪大
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平谷 正彦
「応用物理」 編集委員会
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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小川 亜希子
鈴鹿高専・生応
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LAY ThiThi
物質・材料研究機構
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MOROZ Vitaliy
物質・材料研究機構
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LYKHACH Yaroslava
物質・材料研究機構
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AKHADEJDAMRONG Thananan
東京大学先端研
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相澤 龍彦
東京大学先端研
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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Ahmet P.
物質・材料研究機構
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柳生 進二郎
物質材料研究機構 半導体材料研究センター
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
-
山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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黒田 大介
鈴鹿工業高等専門学校
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小川 亜希子
鈴鹿高専
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Ahmet Parhat
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
著作論文
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光と表面
- 光電子収量分光における2次電子閾値の検討
- HACCP対応抗菌エコプレーティングとバイオフィルム
- Cu-9%Al(111)上に成長したエピタキシャルアルミナ膜の表面観察
- Cu-9%Al(111) 合金上に成長したエピタキシャル酸化膜の表面形態と化学結合状態
- Cu-Al 合金単結晶上への結晶性極薄アルミナ膜の成長
- 講義 単体元素と遷移金属シリサイドのスパッタ速度
- シリサイド薄膜の相対スパッタエッチングレート比のエネルギー依存性
- コハク酸のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- グルタル酸の Cu(110)表面での吸着構造
- N-Acetylglycine のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- Cu(110)表面でのハイドロムコン酸の吸着状態
- Cu(110)表面でのアジピン酸の吸着状態 (第24回表面科学講演大会論文特集(3))
- 自己組織的構造形成とそ応用
- 最近の展望 デバイス電極材料と仕事関数
- 海面偏析を利用したコーティング膜/母材海面改質法
- 28aTA-13 蒸着膜上への基板元素表面偏析の汎用的予測方法
- Ti膜上でのCuの偏析濃度と仕事関数低下量との相関
- 金属元素の表面偏析による結合状態の変化と仕事関数
- Nb膜上に偏析したTi層の再生速度の温度依存性
- 下地金属の薄膜表面への偏析による仕事関数変化の測定
- ゲッター作用を持つTi-Nb膜の自己組成制御性
- Ti表面偏析Nb薄膜インテリジェントゲッター
- 仕事関数の成り立ち, 調整法とバンドアライメント
- UPS, XPS, AESを用いた仕事関数計測の原理と実践的ノウハウ
- 基板/薄膜界面における拡散と偏析・反応 : どんな系でも予測できる方法
- 結晶性アルミナ超薄膜の作製
- TiN 膜への Cl^+ イオン打ち込みによる低摩擦化の X 線光電子分光法による研究
- Au(111)再構成表面での局所ポテンシャル障壁高さ測定
- 仕事関数制御の新たな試み
- 走査型トンネル電子顕微鏡によるナノスケール"仕事関数"の電圧依存性の測定〔含 査読コメント〕
- Pauling の電気陰性度 : 日本-欧米ダブルスタンダード!?
- Auスパッタエッチングにおけるスパッタ温度と表面ナノ凸凹形成
- バックグランドの基礎と処理法各論 (特集:VAMAS-SCA Japan復刻版(1989,1994)) -- (実用電子分光法講座(1994年1月))
- 講義 各種AES分析装置の装置関数(これまでのラウンドロビンでわかったこと)
- エネルギ軸・強度軸をそろえる
- 熱処理合金化めっき法によるすず-パラジウム合金皮膜の形成プロセスと皮膜の抗菌性発現
- 局所ポテンシャル障壁高さ計測における条件依存性の判別
- 局所ポテンシャル障壁高さ測定に関する考察
- 研究の個性 : ヒットとロングテール, 栓抜きと水道