赤坂 泰志 | 東京エレクトロン株式会社
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概要
関連著者
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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白石 賢二
筑波大学
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AKASAKA Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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Nara Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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赤坂 泰志
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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村越 篤
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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吉武 道子
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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尾本 誠一
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小澤 良夫
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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齋藤 友博
東芝 セミコンダクター社
-
齋藤 友博
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
中嶋 一明
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
松尾 浩司
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
矢野 博之
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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犬宮 誠治
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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村越 篤
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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南幅 学
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
松井 之輝
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
HIEDA Katsuhiko
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
綱島 祥隆
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
有門 経敏
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
奥村 勝弥
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
有門 経敏
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
奥村 勝弥
東京大学先端科学技術研究センター
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犬宮 誠治
東芝
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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SHIRAISHI K.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
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YAMADA K.
Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHANG K.-S.
National Institute for Standards and Technology
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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小澤 良夫
株式会社東芝
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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赤坂 泰志
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山部 紀久夫
筑波大学
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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YAMABE K.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
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INUMIYA S.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
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UMEZAWA N.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
-
UEDONO A.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
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OHMORI K.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
-
CHIKYOW T.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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上殿 明良
筑波大学数理物質科学研究科
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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大塚 崇
筑波大学数理物質科学研究科
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伊東 健一
筑波大学数理物質科学研究科
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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犬宮 誠治
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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神山 聡
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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赤坂 泰志
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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渡部 平司
大阪大学
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赤坂 泰志
Selete
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奈良 安雄
Selete
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菅原 卓也
東京エレクトロンFE(株)PVE BUエリコンシステムFE部
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Miyazaki Seiichi
Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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中西 敏雄
東京エレクトロンat Spa開発技術部
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村川 恵美
東京エレクトロン株式会社
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竹内 政志
東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部
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本田 稔
東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部
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石塚 修一
東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部
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廣田 良浩
東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部
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田中 義嗣
東京エレクトロン株式会社
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須川 成利
東北大学工学研究科技術社会システム
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石井 賢
株式会社東芝セミコンダクター社
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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中山 恒義
北大院工
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幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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吉武 道子
(独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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田中 正幸
東芝
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田中 正幸
株式会社東芝セミコンダクター社
-
村川 恵美
東京エレクトロン株式会社:東北大学工学研究科技術社会システム
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宮下 俊彦
(株)富士通研究所
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齋藤 友博
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
中嶋 一明
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
犬宮 誠冶
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
松尾 浩司
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
飯沼 俊彦
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
村越 篤
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
赤坂 泰志
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
小澤 良夫
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
南幅 学
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
松井 之輝
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
尾本 誠一
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
矢野 博之
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
HIEDA Katsuhiko
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
綱島 祥隆
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
須黒 恭一
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
有門 経敏
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
奥村 勝弥
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
樋浦 洋平
(株)東芝 デバイス技術研究所
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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大塚 文雄
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
中山 隆史
千葉大学理学部
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中岡 高司
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
中村 源治
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
太田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
吉田 英司
富士通研究所
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宮下 俊彦
富士通研究所
-
新田 博行
株式会社東芝セミコンダクター社
-
chou P.H.
Winbond electronics corp.
-
橋本 浩一
富士通研究所
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田中 徹
富士通研究所
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奈良 安雄
富士通研究所
-
赤坂 泰志
(株)東芝
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中嶋 一明
(株)東芝
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赤坂 泰志
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
中嶋 一明
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
須黒 恭一
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
末広 信太郎
東芝北九州工場
-
田中 義嗣
東京エレクトロンat株式会社プロセスインテグレーションセンター
-
梅澤 直人
南カリフォルニア大
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須黒 恭一
(株)東芝
-
菅原 卓也
東京エレクトロン株式会社
-
中山 隆史
千葉大
-
中山 隆史
千葉大学
-
中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
-
東 篤志
東芝
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
-
橋本 浩一
富士通
-
大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
-
Miyazaki S
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
Miyazaki Seiichi
Dept. Of Electrical Engineering Hiroshima University
-
田中 徹
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
Miyazaki Seiichi
Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
NAKAMURA G.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
KADOSHIMA M.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
WATANABE H.
Graduate School of Engineering, Osaka University
-
OHMORI K.
Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University
-
OHJI Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
-
OOTSUKA F.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
TAMURA Y.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
NAKATA H.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
OHTSUKA M.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
WATANABE T.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
KITAJIMA M
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
NAKAMURA K.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
-
MIYAZAKI S.
Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima Univ.
-
HASUNUMA R.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
-
MOMIDA H.
Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science
-
OHNO T.
Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science
-
SHIRAISHI K.
University of Tsukuba
-
YAMABE K.
University of Tsukuba
-
WATANABE H.
Osaka University
-
AKASAKA Y.
Selete
-
NAKAJIMA K.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
-
YOSHITAKE M.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
著作論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD-2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 大容量メモリ混載システムLSI用低温プロセスの開発(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- ポリメタルゲート電極技術
- W/poly-Si 積層構造による低抵抗ゲート電極(poly-metal ゲート)
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
- Full-Metal-Gate Integration of Dual-Metal-Gate HfSiON CMOS Transistors by Using Oxidation-Free Dummy-Mask Process
- Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
- Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
- First-principles studies on metal induced gap states (MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces
- Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors