奈良 安雄 | (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

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概要

• 同名の論文著者
• (株)富士通研究所 Ulsi研究部門の論文著者

関連著者

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 門島 勝

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 奈良 安雄

  富士通研究所

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ (selete)

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 犬宮 誠治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 宮崎 誠一

  広大

• 渡部 平司

  大阪大学

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 杉田 義博

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 鈴木 基史

  京大院工

• 鈴木 基史

  産業技術総合研究所

• 鈴木 基史

  京大

• 知京 豊裕

  物質材料研究機構(NIMS)

• 犬宮 誠治

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 大毛利 健治

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• AHMET P.

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• 奈良 安雄

  Selete

• 三瀬 信行

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所

• 中嶋 薫

  京都大学大学院工

• 鈴木 基史

  京都大学大学院工

• 木村 健二

  京都大学大学院工

• 志村 考功

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 大樹

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 伊藤 隆司

  東北大学大学院工学研究科

• 栄森 貴尚

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ

• 宮崎 誠一

  広島大学 工学部

• 趙 明

  京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 植松 真司

  NTT物性科学基礎研究所

• 吉永 博路

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 栄森 貴尚

  (株)ルネサステクノロジ

• 赤坂 泰志

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 杉田 義博

  半導体先端テクノロジーズ

• 鬼沢 岳

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 加藤 慎一

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 青山 敬幸

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 諸岡 哲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• 喜多 祐起

  大阪大学大学院工学研究科

• 伊藤 隆司

  富士通研究所

• 杉田 義博

  富士通研究所株式会社

• 杉田 義博

  富士通研究所

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 伊藤 隆司

  東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• 辛 埴

  東大物性研

• 吉信 淳

  東大物性研

• 原田 慈久

  東大院工

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 鈴木 良一

  産総研

• 大平 俊行

  産総研

• 上殿 明良

  筑波大学数理物質科学研究科

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 大塚 崇

  筑波大学数理物質科学研究科

• 伊東 健一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 梅澤 直人

  物質材料研究機構(NIMS)

• 神山 聡

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 赤坂 泰志

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 北島 洋

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 有門 経敏

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 蓮沼 隆

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 赤坂 泰志

  Selete

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• CHANG K.-S.

  National Institute for Standards and Technology

• 山下 良之

  物材機構

• 向井 孝三

  東大物性研

• 細井 卓治

  大阪大学

• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 原田 慈久

  東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8

• 中嶋 薫

  京大工

• 木村 健二

  京大工

• HORIKAWA Yuka

  RIKEN/SPring-8

• 徳島 高

  理研:spring8

• 徳島 高

  理研 Spring-8

• 原田 慈久

  理研 SPring-8

• 山下 良之

  東大物性研

• 小口 和博

  東大物性研

• 犬宮 誠治

  Selete

• 杉田 義博

  Selete

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 中嶋 薫

  京大院工

• 木村 健二

  京大院工

• 石井 賢

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 木村 健二

  京大 大学院工学研究科

• 足立 哲也

  物質・材料研究機構

• 石川 大

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 金田 博幸

  富士通研究所(株)ULSIプロセス研究部

• 中山 恒義

  北大院工

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 幸山 裕亮

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 吉武 道子

  (独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター

• 池田 和人

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 舘 喜一

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 角嶋 邦之

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 岩井 洋

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 金田 博幸

  (株)富士通研究所

• 中島 清美

  物質材料機構

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 網中 敏夫

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 黒澤 悦男

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 田中 正幸

  東芝

• 田中 正幸

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 杉田 義博

  (株)富士通研究所

• 宮下 俊彦

  (株)富士通研究所

• 赤坂 泰志

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 蓮沼 隆

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 犬宮 誠治

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 大塚 文雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 中岡 高司

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中村 源治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 太田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 吉田 英司

  富士通研究所

• 宮下 俊彦

  富士通研究所

• 新田 博行

  株式会社東芝セミコンダクター社

• chou P.H.

  Winbond electronics corp.

• 橋本 浩一

  富士通研究所

• 田中 徹

  富士通研究所

• 中嶋 薫

  京大 大学院工学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター

• 石川 恵子

  物質・材料研究機構

• 北島 洋

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 有門 経敏

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 梅澤 直人

  南カリフォルニア大

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 伊藤 隆司

  (株)富士通研究所

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 蓮沼 隆

  筑波大学 電子・物理工学専攻

• 橋本 浩一

  富士通

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 大平 俊行

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構

• 佐々木 伸夫

  富士通研究所

• 田中 徹

  (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

• 堀内 敬

  富士通研究所

• 浅野 高治

  富士通研究所

• 高橋 公俊

  (株)富士通研究所

• 永田 武雄

  (株)富士通研究所

• 真鍋 康夫

  (株)富士通

• 町田 泰秀

  (株)富士通

• 深野 哲

  富士通研究所

• 佐々木 伸夫

  富士通研究所、ulsiプロセス研究部

• 幸山 裕亮

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉武 道子

  金属材料技術研究所

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  「応用物理」 編集委員会

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著作論文

• 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
• 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 23aYH-11 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
• メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
• 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 大容量メモリ混載システムLSI用低温プロセスの開発(先端CMOS及びプロセス関連技術)
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 極薄HfSiONゲート絶縁膜の絶縁破壊時間の決定
• メタルゲート/高誘電率絶縁膜スタックの最前線
• 先端CMOS向けHigh-k/メタルゲートスタック技術,AWAD2006)
• 先端CMOS向けHigh-k/メタルゲートスタック技術
• 先端CMOS向け High-k/ メタルゲートスタック技術
• EBブロック露光におけるマスクバイアス条件
• 部分一括露光における近接効果補正
• 短波長光励起反応を利用したエッチング技術
• 光刺激脱離によるSi上の酸化物の低温除去とSiホモエピタキシー
• 熱酸化シリコンの照射損傷による構造変化
• しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS
• ロジックとの混載に適した反転スタックキャパシタ(RSTC)DRAMセル構造の提案
• 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構

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