中嶋 薫 | 京大院工

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概要

• 同名の論文著者
• 京大院工の論文著者

関連著者

• 中嶋 薫

  京大院工

• 木村 健二

  京大院工

• 鈴木 基史

  京大院工

• 鈴木 基史

  京大

• 木村 健二

  京大工

• 中嶋 薫

  京大工

• 木村 健二

  京大 大学院工学研究科

• 中嶋 薫

  京大 大学院工学研究科

• 鈴木 基史

  産業技術総合研究所

• 斎藤 勇一

  原子力機構

• 鳴海 一雅

  原子力機構

• 高木 慎平

  京大院工

• 為広 信也

  京大院工

• 森田 陽亮

  京大院工

• 木村 健二

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 中嶋 薫

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 松下 知義

  京大院工

• 鈴木 俊朗

  京大院工

• 脇 祐介

  京大院工

• 阪田 正和

  京大院工

• 千葉 元気

  京大院工

• 森田 陽亮

  京大工

• 鳴海 一雅

  原子力機構高崎研

• 辻本 将彦

  物質・細胞統合システム拠点

• 中嶋 薫

  京都大学大学院工

• 木村 健二

  京都大学大学院工

• 磯田 正二

  物質・細胞続合システム拠点

• 北山 巧

  京大院工

• 磯田 正二

  物質・細胞統合システム拠点

• 的場 史朗

  立教大理

• 中嶋 薫

  京都大学 大学院工学研究科

• 木村 健二

  京都大学 大学院工学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 野平 博司

  Musashi Institute Of Technology

• 笹 公和

  筑波大

• 土田 秀次

  京大院工

• 伊藤 秋男

  京大院工

• 冨田 成夫

  筑波大数物

• 柴田 裕実

  京大院工

• 松田 誠

  原子力機構

• 石川 順三

  Dep. Of Electronics And Information Engineering Chubu Univ.

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 辻 博司

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 後藤 康仁

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 石川 順三

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 千葉 敦也

  原子力機構高崎

• 左高 正雄

  原子力機構

• 爲廣 信也

  京大院工

• 鈴木 基史

  京都大学大学院工

• 服部 健雄

  武蔵工業大学工学部

• 野平 博司

  武蔵工業大学工学部

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 冨田 成夫

  筑波大学

• 趙 明

  京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 植松 真司

  NTT物性科学基礎研究所

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 舘 喜一

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 角嶋 邦之

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 岩井 洋

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 山崎 成晴

  京大院工

• 中本 篤

  京大工

• 中本 篤

  京大院工

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 服部 健雄

  武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター

• 間嶋 拓也

  京大院工

• 後藤 康仁

  京都大学大学院工学研究科

• 辻 博司

  Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University

• 間嶋 拓也

  京大院工QSEC

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 前川 真吾

  京大院工

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 後藤 康仁

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 洗 暢俊

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 中塚 博之

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 後藤 直行

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 箕谷 崇

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 小嶋 研史

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 奥峰 徹也

  シャープ株式会社デバイス技術研究所

• 足立 浩一郎

  シャープ株式会社デバイス技術研究所

• 小滝 浩

  シャープ株式会社デバイス技術研究所

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• Nohira Hiroshi

  Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• Hirama Toshiyasu

  Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences

• Tsujii Hirohiko

  バングラデシュ

• Nakazawa Hiroshi

  New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University

• 土田 秀次

  奈良女大理

• 木村 健二

  京都大学 大学院 工学研究科

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 大島 伸一

  京大院工

• 大野 敦史

  京大院工

• 宮下 基希

  京大院工

• 横江 潤也

  京大院工

• 服部 健雄

  東京工大 フロンティア研究機構

• 舘 喜一

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 斎藤 勇一

  原子力機構高崎研

• 平田 浩一

  産総研

• 服部 健雄

  武蔵工業大学

• 辻本 政彦

  物質・細胞続合システム拠点

• 冨田 成夫

  筑波大

• 辻 博司

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 的場 史朗

  立教大理:(現)原研高崎

• 辻本 政彦

  物質-細胞統合システム拠点

• 磯田 正二

  物質-細胞統合システム拠点

• 石川 順三

  京都大学大学院工学研究科

• 太田 優史

  京大院工

• 杉山 元彦

  京大院工

• 辻 博司

  京都大学大学院工学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 山田 圭介

  原子力機構高崎研

• 山田 圭介

  原子力機構

• 的場 史郎

  原子力機構高崎研

• 永野 賢悟

  京大院工

• 千葉 敦也

  原子力機構高崎研

• 千葉 敦也

  原子力機構

• 鈴木 基文

  京大院工

• 辻本 将彦

  京大iCeMS

• 磯田 正二

  京大iCeMS

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著作論文

• 高分解能RBSを用いた表面・界面の評価
• 高分解能ラザフォード後方散乱法による表面分析
• 27aXP-5 KCl(001)表面に斜入射した2MeV He^+イオンによるコンボイ電子の放出(放射線物理)(領域1)
• 28pSD-4 KCl(001)表面におけるC_^+イオンの斜入射散乱(28pSD 領域1シンポジウム:エキゾチックな粒子ビームと固体・表面との相互作用,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pRB-4 KCl(001)表面で鏡面反射した低速C_^+イオンのエネルギー損失(放射線物理(衝突に伴うエネルギー付与),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 26aWD-2 低速C_^+イオンのKCl(001)表面における中性化(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-13 鏡面反射イオンによりKCl(001)表面から放出される2次電子数と2次イオン収率の相関(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-12 斜入射高速イオンによるイオン液体表面からの2次イオン放出(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23aRB-1 斜入射高速イオンのイオン液体表面での散乱(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21pRE-3 KCl(001)で鏡面反射したHeH^+分子イオンの解離片に対する表面トラックポテンシャルの影響(放射線物理(エネルギー付与過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aRF-6 KCl(001)表面における低速グリシンイオンの散乱(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-2 KC1(001)結晶表面で鏡面反射したHeH^+分子イオンの解離過程II(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-5 斜入射高速イオンによるKC1(00l)表面からの2次イオン放出II(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-1 ECRイオン源を用いたグリシンイオンの生成(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 26aWD-3 KCl(001)結晶表面で鏡面反射した1〜2MeV HeH^+分子イオンの解離過程(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aYJ-7 斜入射高速イオンによるKC1(001)表面からの2次イオン放出(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aRD-9 イオン性結晶の表面軸チャネリングイオンに対する相互作用ポテンシャル(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aRD-7 KCI(001)表面で鏡面散乱したC_イオンのC_2放出(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 高分解能ラザフォード後方散乱分析(RBS)による銀負イオン注入熱酸化薄膜における銀の熱拡散分布の測定と拡散障壁による単層銀ナノ粒子の形成
• 角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み
• 高分解能RBS法の原理と分析精度
• 24aGD-8 高分解能RBSによるイオン液体2元混合物の表面組成分析(24aGD 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 24aAB-7 数百keV C_イオン照射によって形成された非晶質Si_3N_4薄膜中のイオントラックのTEM観察(24aAB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pEG-5 非晶質Si_3N_4薄膜中のイオントラックのHAADF-STEM観察(27pEG 放射線物理(放射線損傷・阻止能・二次電子放出・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26pBC-4 高速分子イオンのナノキャピラリー透過におけるウェイク効果(融合セッション(原子・分子・キャピラリー),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aBC-8 C_イオン照射によって形成された非晶質SiN薄膜中のイオントラックの膜厚依存性(放射線物理(放射線計測・二次電子放出・クラスター・放射線損傷),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aBC-3 MeV領域のCu^とC_+イオンの透過によるSiN薄膜上のアミノ酸の前方2次イオン放出(放射線物理(放射線計測・二次電子放出・クラスター・放射線損傷),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 28aCH-6 540keV C_^照射による非晶質SiNのスパッタリング(28aCH 放射線物理(放射線計測・2次電子放出・クラスター・放射線損傷),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))

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