左高 正雄 | 原子力機構
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概要
関連著者
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左高 正雄
原子力機構
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左高 正雄
原研
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左高 正雄
原研機構東海
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松波 紀明
名大エコトピア研
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岡安 悟
原研
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松波 紀明
名大エコトピア
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田沢 真人
産総研
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福岡 修
名大エコトピア研
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岡安 悟
原子力機構
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数又 幸雄
日本アドバンスドテクノロジー
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木村 和広
筑波大物質工
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福岡 修
名大院工
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門脇 和男
筑波大物質工
-
門脇 和男
筑波大物質
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鬼頭 聖
産総研
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岩瀬 彰宏
原研
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垣内田 洋
産総研
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志村 哲生
名大エコトピア研
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須貝 宏行
原子力機構先端基礎セ
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Shinde N.
名大エコトピア
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シンディ ニナド
名大エコトピア
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松波 紀明
名大院工
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越田 龍
筑波大物質工
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岡安 悟
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
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垣内田 洋
産業技術総合研
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伊豫 彰
産総研
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松田 誠
原子力機構
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左高 正雄
原研東海
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佐高 正雄
原研
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岡安 悟
原研東海
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松波 紀明
名大工
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Kwok W.
Argonne National Laboratory
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Crabtree G.
Argonne National Laboratory
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須貝 宏行
原研機構東海
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関岡 嗣久
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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若林 哲
筑波大物質工
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松波 紀明
名大理工総研
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関岡 嗣久
姫路工大工
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寺澤 倫孝
姫路工大工
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関岡 嗣久
姫工大
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門脇 和男
筑波大学物質工
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寺澤 倫孝
姫路工大
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須貝 宏行
原研
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北澤 真一
原子力機構那珂
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関岡 嗣久
姫路工大
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菅原 大門
筑波大学物質工
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伊豫 彰
産総研:JST,TRIP
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永崎 洋
産総研
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Shirage P.
産総研
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宮澤 喜一
産総研
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今井 誠
京大院工
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金道 浩一
阪大極限セ
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斎藤 勇一
原子力機構
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石川 法人
原子力機構
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岩瀬 彰宏
大阪府大院工
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岩瀬 彰宏
大阪府立大
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冨田 成夫
筑波大数物
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笹 公和
筑波大数物
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神沢 志保
筑波大物質工
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高廣 克己
京都工繊大
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北澤 真一
原研東海
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須貝 宏行
原子力機構
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園田 健
電中研
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知見 康弘
原研東海
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伊原 英雄
産総研
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掛谷 一弘
阪大極限セ
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高広 克巳
京都工繊大
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知見 康弘
原子力機構
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田中 康資
産総研
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平井 学
産業技術総合研究所
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伊予 彰
産総研
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鳴海 一雅
原子力機構
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中嶋 薫
京大院工
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木村 健二
京大院工
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菅原 大門
筑波大物質工
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中村 暢彦
原子力機構
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須貝 宏行
原研東海
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加藤 輝雄
原研東海
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左高 正c
原研
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シンディ ニナド
名大院工
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福岡 修
名大理工総研
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伊藤 正和
名大院工
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和田 敏美
産総研
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田中 康資
産総研エレ
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冨田 成夫
筑波大学
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三田村 徹
姫路工大工
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Stockli M.P.
カンザス州立大
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Winecki S.
カンザス州立大
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Cocke C.L.
カンザス州立大
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茶谷原 昭義
大工研
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北澤 真一
原 研
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左高 正雄
原 研
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Gregory D.C.
ORNL
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Huq M.S.
ORNL
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Meyer F.W.
ORNL
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Swenson D.
ORNL and JILA
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Chantrenne S.
LLNC
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平井 学
産総研
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佐藤 守
大阪工業技術試験所
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佐久間 靖博
名大院工
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佐藤 守
大工試
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Cocke C.l
カンザス州立大
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知見 康弘
日本原子力研究所
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中村 良
筑波大学物質工
-
中村 良
筑波大物質工
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伊原 英雄
電子技術総合研究所
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Stockli M.p
カンザス州立大
-
三田村 徹
兵庫県立大
-
伊原 英雄
産業技術総合研究所
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知見 康弘
原研先端基礎
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Kwok W.K.
Argonne National Laboratory
-
Crabtree G.W.
Argonne National Laboratory
-
Kwok W.K
Argonne National Laboratory
-
Crabtree G.W
Argonne National Laboratory
-
木村 和広
筑波大学物質工
-
Kwok K.W
Argonne National Laboratory
-
Crabtree W.G
Argonne National Laboratory
-
岡安 吾
原研
-
若林 哲
筑波大学物質工
-
茶谷原 昭義
大阪工業技術研究所材料物理部
-
三田村 徹
姫路工業大学大学院工学研究科
-
佐藤 守
大阪工技試
-
福島 潤
名大エコトピア研
-
高廣 克己
京都工繊大工
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舟田 周平
筑波大数物
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佐久間 靖博
名大エコトピア研
-
森田 陽亮
京大院工
-
佐久間 靖博
名大エコトピア
-
澤部 孝史
電中研
-
椎名 陽子
筑波大数物
-
川面 澄
関西外大
-
北山 巧
京大院工
-
北澤 真一
原研
-
知見 康弘
原研
-
鈴木 基文
京大院工
-
辻本 将彦
京大iCeMS
-
磯田 正二
京大iCeMS
著作論文
- 20pTC-2 酸化タングステン薄膜の照射効果とスパッタリングの入射イオン電荷効果(20pTC 放射線物理(2次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20pTC-10 高エネルギー重イオンによるラザフォード後方散乱分光(20pTC 放射線物理(2次粒子放出・クラスタービーム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aPS-11 LnFeAsO_系(Ln=Nd)超伝導体の重粒子線照射効果(28aPS 領域8ポスターセッション(低温II(鉄砒素超伝導体,その他)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-15 頂点フッ素を有する多層型高温超伝導体系の重粒子線照射効果(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pRE-1 窒化物の電子励起スパッタリング(放射線物理(固体内衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26pWD-12 高エネルギーイオンによるAlドープZnOの物性変化(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20aZF-2 Cu_3N薄膜のイオン照射効果と相分離(20aZF 放射線物理(照射効果,損傷過程),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pYR-11 多結晶SiO_2膜の高エネルギーイオン照射効果:結晶粒配向整列(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19aYA-7 AlドープZnO薄膜の電気特性に対する高エネルギー重イオン照射効果(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pYJ-6 イオンビームによるCu_2O薄膜の電子構造改質(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 13pTG-5 イオンビームによる ZnO 薄膜中 Al の置換効果(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
- 12aTG-4 酸化物の電子励起スパッタリング機構 II(放射線物理, 領域 1)
- 28pXP-4 酸化物の電子励起スパッタリング機構(放射線物理)(領域1)
- 27pXP-10 イオンビームによるAlドープZnO薄膜の低抵抗化(放射線物理)(領域1)
- 21pTD-2 イオン照射による ZnO 系薄膜の特性改質
- 29aXD-4 酸化物の電子励起スパッタリング率とバンドギャップ
- 29aXD-3 ZnO 系薄膜のイオン照射効果
- 17pTD-12 高エネルギー重イオン照射による酸化物中の電子励起効果 II
- 28pZE-9 高エネルギー重イオン照射による酸化物中の電子励起効果
- 5a-YC-11 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出
- 高エネルギー重イオン照射によるスパッタリング過程
- 2p-C-8 半導体レーザーによるバリウム原子の励起状態の生成
- 6a-ZG-12 多価Uイオンの電子衝撃電離
- 25pPSA-22 YSr_2Cu_3O_系の重粒子線照射(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aPS-19 多層型高温超伝導体 Tl-1245 系の重粒子線照射効果
- 23pRH-1 InドープZnOのイオン照射効果(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pYJ-1 高エネルギー重イオン照射によるペロブスカイト型酸化物中の電子励起効果
- 23pZJ-10 柱状欠陥を持つBi_2Sr_2CaCu_2O_のピニング効果と磁束状態
- 24aPS-54 Bi_2Sr_2CaCu_2O_の磁束状態の欠陥とピーク効果
- 24aYP-1 Bi_2Sr_2CaCu_2O_の磁束状態の相転移と欠陥の相関
- 23aPS-31 柱状欠陥を導入したBi_2Sr_2CaCu_2O_の磁束状態におけるピニング効果
- 28a-K-10 柱状欠陥を持つ単結晶Bi_2Sr_2CaCu_2O_の相転移と磁束状態
- 30p-R-7 柱状欠陥を持つBi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶の異常ピーク効果
- 6a-M-10 柱状欠陥を持つ単結晶Bi_2Sr_2CaCu_2O_のジョセフソンプラズマ共鳴
- 30p-R-4 単結晶Bi_2Sr_2CaCu_2O_におけるジョセフソンプラズマの角度依存性
- 21aEB-2 CuOのイオン照射効果(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aAB-2 高エネルギーイオン照射したUO_2におけるイオントラック形成(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26aEB-8 16MeV C_2^+入射における0度電子分光(26aEB 融合セッション(原子・分子・キャピラリー),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aCH-6 540keV C_^照射による非晶質SiNのスパッタリング(28aCH 放射線物理(放射線計測・2次電子放出・クラスター・放射線損傷),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))