13pTG-5 イオンビームによる ZnO 薄膜中 Al の置換効果(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
左高 正雄
原研機構東海
-
松波 紀明
名大エコトピア研
-
左高 正雄
原子力機構
-
田沢 真人
産総研
-
福岡 修
名大エコトピア研
-
左高 正雄
原研
-
Shinde N.
名大エコトピア
-
福岡 修
名大院工
-
シンディ ニナド
名大エコトピア
-
松波 紀明
名大院工
-
シンディ ニナド
名大院工
関連論文
- 20pTC-2 酸化タングステン薄膜の照射効果とスパッタリングの入射イオン電荷効果(20pTC 放射線物理(2次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20pTC-10 高エネルギー重イオンによるラザフォード後方散乱分光(20pTC 放射線物理(2次粒子放出・クラスタービーム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28pTA-5 2.0MeV/u Sイオンの薄膜透過後非平衡電荷分布の測定(28pTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 17pTD-4 0度電子分光による固体内電子衝突過程研究 III
- 27pZE-1 0度電子分光による固体内電子衝突過程研究II
- 13p-DB-13 多価金イオンとヘリウムの衝突における0度方向バイナリー電子生成
- 30a-L-5 重イオン衝突におけるバイナリーピークの入射イオン電荷依存性(原子・分子)
- 30a-Q-8 高速重イオンとヘリウムの衝突におけるバイナリーピークの電荷依存性(II)
- 24p-P-10 高速重イオンとヘリウムの衝突におけるバイナリーピークの電荷依存性
- 28aPS-11 LnFeAsO_系(Ln=Nd)超伝導体の重粒子線照射効果(28aPS 領域8ポスターセッション(低温II(鉄砒素超伝導体,その他)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-15 頂点フッ素を有する多層型高温超伝導体系の重粒子線照射効果(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pRE-1 窒化物の電子励起スパッタリング(放射線物理(固体内衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26pWD-12 高エネルギーイオンによるAlドープZnOの物性変化(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 4a-D-10 荷電粒子-炭素原子の電荷移動断面積 I,He^+,Ne^+の炭素を含む分子による電子損失断面積
- 20aZF-2 Cu_3N薄膜のイオン照射効果と相分離(20aZF 放射線物理(照射効果,損傷過程),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pYR-11 多結晶SiO_2膜の高エネルギーイオン照射効果:結晶粒配向整列(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19aYA-7 AlドープZnO薄膜の電気特性に対する高エネルギー重イオン照射効果(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pYJ-7 Bi-Al_2O_3界面の電子励起ミキシング(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pYJ-6 イオンビームによるCu_2O薄膜の電子構造改質(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 13pTG-6 MOVPE 成長で作製した ErP/InP 中の残留不純物分析と電気特性(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
- 13pTG-5 イオンビームによる ZnO 薄膜中 Al の置換効果(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
- 12aTG-4 酸化物の電子励起スパッタリング機構 II(放射線物理, 領域 1)
- 28pXP-4 酸化物の電子励起スパッタリング機構(放射線物理)(領域1)
- 27pXP-10 イオンビームによるAlドープZnO薄膜の低抵抗化(放射線物理)(領域1)
- 21pTD-2 イオン照射による ZnO 系薄膜の特性改質
- 21aTD-11 高エネルギー重イオンによる異種元素ミキシング
- 29aXD-4 酸化物の電子励起スパッタリング率とバンドギャップ
- 29aXD-3 ZnO 系薄膜のイオン照射効果
- 17pTD-12 高エネルギー重イオン照射による酸化物中の電子励起効果 II
- 28pZE-9 高エネルギー重イオン照射による酸化物中の電子励起効果
- 2p-RL-9 150MaV Clイオンの多重散乱と荷電状態II
- 11a-G-4 150〜200MeV Clイオンの多重散乱と荷電状態
- 5a-YC-11 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出
- 高エネルギー重イオン照射によるスパッタリング過程
- 2p-C-8 半導体レーザーによるバリウム原子の励起状態の生成
- 6a-ZG-12 多価Uイオンの電子衝撃電離
- 高速水素イオン-希ガス衝突における電子捕獲微分断面積の測定II
- 25pPSA-22 YSr_2Cu_3O_系の重粒子線照射(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aPS-19 多層型高温超伝導体 Tl-1245 系の重粒子線照射効果
- 31a-X-13 ^Pd/^Rhを用いたNb中の格子不整による摂動角相関測定(I)
- 31a-X-3 高エネルギー重イオンによる0°電子分光(III)
- 4p-L-5 高エネルギー重イオンによる0°電子分光(II)
- 27p-G-6 多価塩素イオンのビーム・フォイル分光 (III)
- 27p-G-3 重イオン衝突におけるREC X線(I)
- 27p-G-2 高分解能X線結晶分光器の試作
- 4p-WA-3 多価塩素イオンのビーム・フォイル分光 II
- 30p-W-29 Fe^+H→Fe^+H^+の断面積の推定
- 4a-N-4 荷電(中性)粒子-炭素原子の電荷移動断面積 III.Heと含炭素分子の電荷移動断面積
- 30p-Y-2 荷電粒子-炭素原子の電荷移動断面積 II : He^+と含炭素分子の電荷移動断面積
- 23pRH-1 InドープZnOのイオン照射効果(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pYJ-1 高エネルギー重イオン照射によるペロブスカイト型酸化物中の電子励起効果
- 23pZJ-10 柱状欠陥を持つBi_2Sr_2CaCu_2O_のピニング効果と磁束状態
- 24aPS-54 Bi_2Sr_2CaCu_2O_の磁束状態の欠陥とピーク効果
- 24aYP-1 Bi_2Sr_2CaCu_2O_の磁束状態の相転移と欠陥の相関
- 23aPS-31 柱状欠陥を導入したBi_2Sr_2CaCu_2O_の磁束状態におけるピニング効果
- 28a-K-10 柱状欠陥を持つ単結晶Bi_2Sr_2CaCu_2O_の相転移と磁束状態
- 30p-R-7 柱状欠陥を持つBi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶の異常ピーク効果
- 6a-M-10 柱状欠陥を持つ単結晶Bi_2Sr_2CaCu_2O_のジョセフソンプラズマ共鳴
- 30p-R-4 単結晶Bi_2Sr_2CaCu_2O_におけるジョセフソンプラズマの角度依存性
- 13aXF-9 Si(111)-7×7 表面からスパッタされた Si^+, Si^ 収量に及ぼす微量残留酸素の効果(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- 27aXP-4 Si(111)-7×7表面からのSi^+,Si^イオン収量に及ぼす酸素不純物の効果(放射線物理)(領域1)
- 25pRA-8 低エネルギー重水素イオン照射による酸化鉄中への重水素吸蔵(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aEB-2 CuOのイオン照射効果(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aAB-4 窒化タングステンのイオン照射効果(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aAB-2 高エネルギーイオン照射したUO_2におけるイオントラック形成(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26aEB-8 16MeV C_2^+入射における0度電子分光(26aEB 融合セッション(原子・分子・キャピラリー),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28a-EB-1 高エネルギー重イオンを用いた反跳粒子検出法の開発(X線・粒子線)
- 31p-T-5 高速水素イオン-希ガス衝突における電子捕獲微分断面積の測定(31pT 原子・分子,原子・分子)
- 2p-C-8 半導体レーザーによるバリウム原子の励起状態の生成(2pC 量子エレクトロニクス,原子・分子合同,原子・分子)
- 28aCH-6 540keV C_^照射による非晶質SiNのスパッタリング(28aCH 放射線物理(放射線計測・2次電子放出・クラスター・放射線損傷),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))