茶谷原 昭義 | 大阪工業技術研究所材料物理部
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概要
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茶谷原 昭義
大阪工業技術研究所材料物理部
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大阪工業技術試験所
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Cocke C.L.
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茶谷原 昭義
(独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究ラボ
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寺澤 倫孝
姫路工業大学
著作論文
- 5a-YC-11 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出
- 窒化チタン超薄膜の光学特性
- ポリ(エチレンテレフタレ-ト)樹脂のイオン注入による表面改質
- 高温高ドーズMeVイオン注入によるSiC埋め込み層の形成
- バナジウム薄膜へのイオン注入による窒化
- イオンビームミキシングによる表面改質
- プラズマ発光強度信号による高周波反応性スパッタリングプロセスの動的制御
- 窒素ガス中の直流チタンアーク放電を用いたプラズマイオン注入による窒化チタン膜コーティング(プラズマ・表面相互作用)
- 2p-G-10 重イオン照射における原子変位損傷のイオン種依存
- 同軸型真空アーク蒸着源
- 重イオンマイクロビームの形成とその応用
- 正負イオンを用いた物質合成装置の開発
- 3. 工業利用 3. 2イオン注入による表面改質, 表面処理, 欠陥生成
- 正負イオンビームによる膜合成
- 高速イオンマイクロプローブによる局所分析
- 単結晶ダイヤモンド・ウェハの開発--マイクロ波プラズマCVD法による大型化とウェハ化技術
- c-BNの気相合成法
- 正負両イオン照射による窒化炭素膜の合成
- 炭化ケイ素デバイス
- 1P1-8 大型ダイヤモンドウェハの開発(ポスターセッション)