高温高ドーズMeVイオン注入によるSiC埋め込み層の形成
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概要
- 論文の詳細を見る
- 1993-11-20
著者
-
木内 正人
大阪工業技術研究所
-
藤井 兼栄
大阪工業技術試験所
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茶谷原 昭義
大阪工業技術研究所
-
堀野 裕治
産総研
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杢野 由明
大阪工業技術研
-
木野村 淳
大阪工業技術
-
木野村 淳
(独)産業技術総合研究所
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堀野 裕治
大阪工業技術研究所
-
堀野 裕治
独立行政法人産業技術総合研究所関西センター
-
茶谷原 昭義
大阪工業技術研究所材料物理部
-
藤井 兼榮
大阪工技研
-
杢野 由明
(独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究ラボ
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