佐藤 守 | 大阪工業技術試験所
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概要
関連著者
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佐藤 守
大阪工業技術試験所
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佐藤 守
大工試
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Stockli M.p
カンザス州立大
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佐藤 守
大阪工技試
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平木 昭夫
阪大工
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井村 健
阪大工
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久保田 和芳
阪大工
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茶谷原 昭義
大阪工業技術研究所材料物理部
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三田村 徹
姫路工業大学大学院工学研究科
-
藤井 兼榮
大阪工技研
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佐藤 守
蚕糸・昆虫農業技術研究所
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佐藤 守
岩手県 盛岡地方振興局
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岩見 基弘
阪大工
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関岡 嗣久
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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関岡 嗣久
姫路工大工
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寺澤 倫孝
姫路工大工
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三田村 徹
姫路工大工
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関岡 嗣久
姫工大
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藤井 兼栄
大阪工業技術試験所
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寺澤 倫孝
姫路工大
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三田村 徹
兵庫県立大
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関岡 嗣久
姫路工大
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箕村 茂
東大物性研
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浜川 圭弘
阪大基礎工
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藤本 文範
東大教養
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箕村 茂
北大理
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浜川 圭弘
立命館大学大学院
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茶谷原 昭義
大阪工業技術研究所
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Cocke C.l
カンザス州立大
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田中 一宣
電総研
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Lehnert U
カンザス州立大
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茂木 和久
阪大工
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左高 正雄
原研機構東海
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中島 信一
阪大工
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上田 修三
川崎製鉄(株)技術研究所
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中島 信一
阪大工, 阪大超伝導セ
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左高 正雄
原子力機構
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伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
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左高 正雄
原研
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佐藤 守
同和鉱業株式会社超電導開発センター
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Stockli M.P.
カンザス州立大
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Winecki S.
カンザス州立大
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Cocke C.L.
カンザス州立大
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茶谷原 昭義
大工研
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三石 明善
阪大工
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平木 昭夫
大阪大学工学研究科フロンティア研究センター
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上田 修三
川崎製鉄(株)鉄鋼研究所
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下村 順一
川崎製鉄(株)計測物性研究センター
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木村 達巳
川崎製鉄(株)鉄鋼研究所
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和中 宏樹
川崎製鉄(株)鉄鋼研究所
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藤井 兼榮
大阪工業技術試験所
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下村 順一
川崎製鉄(株)技術研究所:(現)川鉄テクノリサーチ(株)
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下村 順一
川崎製鉄(株)分析・物性研究センター
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三石 明善
阪大工応物
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木村 達巳
川崎製鉄(株) 技術研究所
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伊藤 利道
大阪大学工学部電気工学科
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林 英雄
大工試
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橋本 陽一
三菱電機(株)生産技術研究所
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吉田 云一
三菱電機(株)生産技術研究所
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前山 能孝
三菱電機(株)生産技術研究所
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町田 一道
三菱電機(株)生産技術研究所
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齋藤 英純
神奈川県高度技術支援財団
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寺内 均
阪大工
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堀野 裕治
産総研
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寺澤 倫孝
姫路工業大学大学院工学研究科
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川西 政治
阪大産研
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川西 政治
大阪大学産研
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上田 修三
川崎製鉄(株)
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杢野 由明
大阪工業技術研
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Fry D
カンザス州立大
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LEHNERT U.
カンザス州立大
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牛田 克己
阪大工
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寺澤 倫孝
姫工大物理
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熊谷 正夫
神奈川産総研
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堀野 裕治
大阪工業技術研究所
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堀野 裕治
独立行政法人産業技術総合研究所関西センター
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渡辺 康義
大工試
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川本 貴道
大阪工業技術試験所
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三田村 徹
姫工大物理
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茶谷原 昭義
大工試
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江 興流
蘭州大物理
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田代 衛
阪大工
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薮田 明
阪大工
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福井 生栄
大工試
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町田 一道
三菱電機(株)生産技術センター
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町田 一道
三菱電機(株)
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菊池 理一
大阪工業技術試験所
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川西 政治
大阪大学産業科学研究所
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菊地 理一
日本真空技術(株)
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柳澤 日出男
大阪工業技術試験所
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藤本 文範
東京大学教養学部
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熊谷 正夫
神奈川県高度技術支援財団
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佐藤 学
東芝タンガロイ (株)
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樋下田 和也
中外炉工業 (株)
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本並 義弘
スターロイ産業 (株)
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吉田 云一
三菱電気 (株)
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菊地 理一
日本真空技術
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吉田 云一
三菱電機 生産技セ
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加藤 剛久
大阪大学工学部電気工学科
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菊池 理一
日本真空技術(株)
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藤井 兼榮
大阪工業技術研究所
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杢野 由明
(独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究ラボ
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三田村 徹
姫工大
著作論文
- 5a-YC-11 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出
- 1%C-5%Cr ロール鋼へのイオンミキシング法による TiN 被膜の形成と耐摩耗性の向上
- 120 ダイナミックミキシング(イオン注入併用蒸着)法による窒化チタン膜形成に関する研究-第1報-
- 26pB-6 多価重イオン照射における弾性散乱と電子励起の協調効果
- 30p-K-5 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出 II
- 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
- 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
- 2a-W-23 Xeを用いたスパッタ法によるa-Si膜の作製
- バナジウム薄膜へのイオン注入による窒化
- イオンビームミキシングによる表面改質
- 電顕中におけるスパッタリング生成膜の観察 : X線, 粒子線
- 2p-G-10 重イオン照射における原子変位損傷のイオン種依存
- イオン注入と真空蒸着による薄膜合成(IVD法)
- 2a-W-22 水素ガスでのスパッタによる水素化結晶Siの構造・物性
- 29a-D-3 水素又は重水素の高線量イオン注入法によるa-Si: H(D)の製作
- 31p GE-9 非晶質Si-H膜のイオン後方散乱法によるcharacterization
- 物理的プロセス及び機器の特徴と応用 (フォーラム「膜形成プロセスとその応用」)
- イオン注入による表面処理
- イオン照射と蒸着(IVD)による立方晶系窒化ボロン膜(超硬質薄膜形成技術の新展開)
- イオン注入したLi_2B_4O_7ガラスセラミックスとLiFよりの熱刺激エキソ電子放射と熱ルミネッセンス
- 多孔質シリコンの初期酸化と金属シリサイド化
- イオン注入と蒸着の併用による改質と薄膜形成
- Ni, Cu基板に対するCのMeV注入による表面硬化のメカニズム
- イオンビ-ムミキシングによる表面改質(最前線シリ-ズ-10-)
- 大容量イオンビ-ムミキシング装置の開発
- 新しい表面機能を作るイオンビ-ム