岩見 基弘 | 阪大工
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概要
関連著者
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岩見 基弘
阪大工
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平木 昭夫
阪大工
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金 守哲
阪大工
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奥野 和彦
阪大工
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上村 和功
阪大工
-
上村 和功
阪大・工
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首藤 和夫
阪大工
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井村 健
阪大工
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金守 哲
阪大工
-
伊藤 利道
阪大工
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清水 昭
阪大工
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片岡 佳英
阪大工
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亀井 聡一郎
阪大工
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川辺 和夫
阪大工
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佐野 正
阪大工
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三枝 隆男
東海大教養
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久保田 和芳
阪大工
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藤本 文範
東大教養
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浦野 俊夫
神戸大学工学部
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浦野 俊夫
神戸大工
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佐藤 守
大阪工業技術試験所
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成沢 忠
ニューヨーク州立大
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成沢 忠
日本真空
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浜川 圭弘
立命館大学大学院
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佐藤 守
大工試
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Stockli M.p
カンザス州立大
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松尾 一郎
阪大工
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金持 徹
神戸大工
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金持 徹
神戸大学
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佐藤 守
大阪工技試
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小宮 宗治
日本真空技術(株)
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浦野 俊夫
神戸大学工学部電気電子工学科
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朝山 邦輔
阪大基礎工
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箕村 茂
東大物性研
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浜川 圭弘
阪大基礎工
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窪田 政一
東大物性研
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村田 好正
東大物性研
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箕村 茂
北大理
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栃原 浩
東大物性研
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橋本 伸
阪大工
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Tromp R.M.
FOM研究所(アムステルダム)
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岩見 基弘
阪大 工
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平木 昭夫
阪大 工
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岩見 基弘
阪大・工
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平木 昭夫
阪大・工
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Gibson W.
ニューヨーク州立大
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難波 進
阪大基礎工
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難波 進
大阪大学基礎工学部
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伊藤 利通
阪大工
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田中 一宣
電総研
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吉田 正昭
阪大工
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牛田 克己
阪大工
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三谷 恒夫
神戸大工
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多木 洋一
神戸大工
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小宮 宗治
日本真空K.K.
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岡本 博明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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岩見 基弘
岡山大理
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栃原 浩
北大触媒研
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寺田 敏行
阪大工
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小山 正
物性研
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小山 正
東大物性研
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藤島 一康
阪大工
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藤本 文範
東大 教養 物理
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森垣 和夫
東大物性研
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井上 正崇
阪大工
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蒲生 健次
阪大基礎工
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van Loenen
FOM研究所(アムステルダム)
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Saris F.W.
FOM研究所(アムステルダム)
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Loenen E.J.van
FOM研
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Savis F.W.
FOM研
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西国 昌人
阪大工
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奥野 和彦
阪大 工
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伊藤 利道
阪大 工
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金 守哲
阪大 工
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片岡 佳英
阪大 工
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井村 健
阪大 工
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伊藤 利道
阪大・工
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奥野 和彦
SUNY-Albany
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成沢 忠
SUNY-Albany
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Gibson W.
SUNY-Albany
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成沢 忠
阪大工
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金守 哲
阪大・工
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片岡 佳英
阪大・工
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山口 悟
阪大・工
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井村 健
阪大・工
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蒲田 健次
阪大基礎工
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田中 英一
名大工
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足立 裕彦
兵教大
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足立 裕彦
阪大工
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岡本 博明
阪大基礎工
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小宮 宗治
日本真空技研
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Tromp R.m.
Fom研
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田中 一英
名工大
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成沢 忠
日本真空技術KK
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岡本 博明
基礎工
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浜川 圭弘
基礎工
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成沢 忠
日本真空K.K.
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福井 生栄
大工試
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前川 通
阪大工
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森下 英樹
阪大工
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弘瀬 洋一
日本工大
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亀井 聰一郎
阪大工
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亀井 総一郎
阪大工
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上野 良夫
阪大工
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和田 正志
阪大工
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成沢 忠
日本眞空(株)
-
小宮 宗治
日本眞空(株)
著作論文
- 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
- 4a-E-1 Ti-SiO_2(薄膜)/Si(111)系での低温反応
- 12p-Y-4 Si(111)基板上への層状および島状Ti-シリサイド
- 高速イオン散乱法によるSi(111)面上へのAg-island成長の観察 : 表面・界面
- 表面, 界面の物理と電子状態に関する半導体国際シンポジウム
- 27p-Y-9 〜100keVの高速イオン散乱法によるSi(111)表面上への金属膜形成過程
- 27p-Y-7 金属/Si界面形成初期過程 : Ti/Si系
- 高速イオンを用いる新しい表面・界面分析法
- 2p-NM-3 ELS法によるPol-Si(111)界面形成の初期過程の観察
- 31p-J-6 水素などを吸着したSi表面上へのAu膜形成過程と低温界面反応
- 31p-J-5 Si清浄表面上での金属薄膜(シリサイド薄膜)形成過程と低温界面反応
- 3a-E-11 AES法によるmetal/Si界面形成のinitial stageの観測
- 2a-D-7 低エネルギーイオン励起によるSi(LMM)Auger電子生成の機構
- Si(111)面上へのAu膜成長のLEED, ELS及びAESによる観察 : 微粒子・薄膜
- 28a-E-10 AESによるNi-sililcide/Si界面の解析とその特性
- 29p-U-4 半導体上の薄膜のAES, ELS, XPSなどによる観察
- 29p-U-3 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(II) : 高速イオンチャネリング
- 29p-U-2 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(I) : ELζによる観測
- 29a-F-5 Si合金からの低エネルギーイオンAuger電子生成の機構
- 金属-半導体界面の合金化
- 4p-D-6 Transition metal silicide/Si 接合の電子状態
- 7a-D-1 金属イオンの注入によるSi-貴金属の合金の直接生成
- 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
- 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
- 11a-R-10 Au-(Narrow and Medium Gap) Semiconductor系にみられる低温界面
- 7a-T-7 Au^+およびCu^+イオンのSi基板中へのHigh-dose Implantation
- 4p-K-14 Si(基板)-Ge(蒸着膜)系での相互拡散
- 6p-B-18 Auger分光法によるSi_M_x(M=Au,Cu)の金属-非金属転移の観察
- 6p-V-5 Si-貴金属合金中での^SiのNMR
- 11a-F-8 Si(基板)-Au(薄膜)界面層に存在する金属性Si
- 12p-L-5 クラスター法による貴金属中Si不純物の電子状態の計算
- 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
- 6a-K-6 Cd_Zn_xAs_2における不純物伝導
- 4a-KL-9 P-Zn_3As_2の磁気抵抗効果 II
- 2p-Q-1 Si清浄表面への金属の極薄蒸着とそのAES,LEEDなどによる観測
- Si単結晶基板上へのFe膜成長のAES-LEEDによる観察
- 31p KA-11 Si清浄表面への金属(Feなど)の極薄蒸着とそのAES, LEEDなどによる観測
- 6a-LT-14 Si_xNi_y系での^SiのNMR(Tiの測定)
- 12p-L-3 Si-Au急冷合金系でのAESとSXS
- 6p-V-4 Si-貴金属合金中の金属性Si(SXSおよびAES)
- 6p-V-3 Si/貴金属界面での金属性Si(SIMS)
- 14a-P-10 Si-貴金属系に生じる金属性シリコンのAES(オージェ電子分光)
- 31p GE-9 非晶質Si-H膜のイオン後方散乱法によるcharacterization
- 6a-LT-9 a-As_2S_3へのCuのphotodoping
- 2a GD-5 Si-金属合金からの低エネルギーイオン励起オージェ電子
- 2a GA-8 第3周期元素の合金中でのAESケミカルシフトとその応用
- 固相エピタキシャル成長のAES法による微視的観察 : 固相反応
- 3p-DQ-1 低エネルギーイオンによるAuger電子の生成とその応用
- 5p-DR-21 Si-金属(Au,Al,Pdなど)接触系の界面物性
- 10p-T-11 低エネルギーイオンによるオージェ電子の生成とその応用
- 11a-R-11 フラッシュ法(Flashing)で清浄化されたSi及びGaAs結晶表面への金属の接合
- BPの結晶成長 : 化合物半導体
- CuCl/CdS系の低温熱処理によるCdS基板上へのCu_Sの成長 : 固相反応
- 5p-DR-22 Cu_2S/CdS接合界面のAuger電子分光
- (Cd_xZn_)_3As_2基板上へのZn_3As_2ヘテロエビタキシャル成長 : エピタキシー
- 25a-G-3 AES法による半導体(基板)-金属(蒸着薄膜)系の界面構造観測
- II_3V_2化合物半導体混晶の結晶成長 : 化合物半導体
- 3p-BJ-12 アモルファス Si_1-xFe_x 系における非金属-金属転移
- 6p-B-17 アモルファスSi_Au_xの誘電率異常
- 2p-Q-5 半導体上の薄膜のAES,ELS,XPSによる評価
- 2p-A1-2 Tunable ELSによるK/Si(111)-7×7(2p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)