平木 昭夫 | 阪大・工

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概要

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著作論文

• 29p-U-4 半導体上の薄膜のAES, ELS, XPSなどによる観察
• 29a-F-5 Si合金からの低エネルギーイオンAuger電子生成の機構
• 新しいTHMによるZnSe単結晶育成及びアクセプター添加効果
• 不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴II. : 非同族元素の場合(半導体(マイクロ波))
• 熱CVD法によるカーボン薄膜成長と構造解析
• CVD ZeSeの励起子スペクトルとSbSe溶媒からの再結晶化
• 5a-S-8 第3周期元素からの低エネルギーイオン励起Auger電子スペクトルとその構造
• 3a-BJ-1 金属(薄膜)-半導体系の低温界面反応
• 2a GD-6 低エネルギーAr^+ 照射によりSi-H, Si-Cなどシリコン化合物から放出されるSiオージェ電子
• 4p-B-12 SP-a-Si 膜の空気中からの酸素取り込みによる物性変化

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