3a-BJ-1 金属(薄膜)-半導体系の低温界面反応
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1978-03-10
著者
関連論文
- 31p-J-6 水素などを吸着したSi表面上へのAu膜形成過程と低温界面反応
- 2a-D-7 低エネルギーイオン励起によるSi(LMM)Auger電子生成の機構
- 29p-U-4 半導体上の薄膜のAES, ELS, XPSなどによる観察
- 29a-F-5 Si合金からの低エネルギーイオンAuger電子生成の機構
- 新しいTHMによるZnSe単結晶育成及びアクセプター添加効果
- 11a-R-10 Au-(Narrow and Medium Gap) Semiconductor系にみられる低温界面
- 不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴II. : 非同族元素の場合(半導体(マイクロ波))
- 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
- 6a-LT-16 GD-a-Siのcharacterization I
- 2p-Q-1 Si清浄表面への金属の極薄蒸着とそのAES,LEEDなどによる観測
- Si単結晶基板上へのFe膜成長のAES-LEEDによる観察
- 31p KA-11 Si清浄表面への金属(Feなど)の極薄蒸着とそのAES, LEEDなどによる観測
- 熱CVD法によるカーボン薄膜成長と構造解析
- 31p GE-8 スパッタリング法によるアモルファスシリコンの基礎的物性
- 6a-LT-9 a-As_2S_3へのCuのphotodoping
- CVD ZeSeの励起子スペクトルとSbSe溶媒からの再結晶化
- 5a-S-8 第3周期元素からの低エネルギーイオン励起Auger電子スペクトルとその構造
- 2a GD-5 Si-金属合金からの低エネルギーイオン励起オージェ電子
- 2a GA-8 第3周期元素の合金中でのAESケミカルシフトとその応用
- 固相エピタキシャル成長のAES法による微視的観察 : 固相反応
- 3p-DQ-1 低エネルギーイオンによるAuger電子の生成とその応用
- 5p-DR-21 Si-金属(Au,Al,Pdなど)接触系の界面物性
- 3a-BJ-1 金属(薄膜)-半導体系の低温界面反応
- 31a-AB-5 低エネルギーイオンによるAuger電子生成
- 10p-T-11 低エネルギーイオンによるオージェ電子の生成とその応用
- 11a-R-11 フラッシュ法(Flashing)で清浄化されたSi及びGaAs結晶表面への金属の接合
- BPの結晶成長 : 化合物半導体
- CuCl/CdS系の低温熱処理によるCdS基板上へのCu_Sの成長 : 固相反応
- 5p-DR-22 Cu_2S/CdS接合界面のAuger電子分光
- 2a GD-6 低エネルギーAr^+ 照射によりSi-H, Si-Cなどシリコン化合物から放出されるSiオージェ電子
- 4p-B-12 SP-a-Si 膜の空気中からの酸素取り込みによる物性変化
- 3p-M-9 低温でのZn_3As_2結晶の育成
- 5a-H-18 BP結晶の電気的性質