金 守哲 | 阪大工
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概要
関連著者
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金 守哲
阪大工
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岩見 基弘
阪大工
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平木 昭夫
阪大工
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上村 和功
阪大・工
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金守 哲
阪大工
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上村 和功
阪大工
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井村 健
阪大工
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片岡 佳英
阪大工
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奥野 和彦
阪大工
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岩見 基弘
阪大・工
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平木 昭夫
阪大・工
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浦野 俊夫
神戸大学工学部
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浦野 俊夫
神戸大工
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亀井 聡一郎
阪大工
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片岡 佳英
阪大・工
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金持 徹
神戸大工
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金持 徹
神戸大学
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金 守哲
阪大・工
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浦野 俊夫
神戸大学工学部電気電子工学科
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岡本 博明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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岩見 基弘
阪大 工
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平木 昭夫
阪大 工
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金 守哲
阪大 工
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井村 健
阪大・工
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浜川 圭弘
立命館大学大学院
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岡本 博明
阪大基礎工
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松尾 一郎
阪大工
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久保田 和芳
阪大工
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牛田 克己
阪大工
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岡本 博明
基礎工
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浜川 圭弘
基礎工
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三谷 恒夫
神戸大工
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多木 洋一
神戸大工
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藤本 文範
東大教養
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藤本 文範
東大 教養 物理
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西国 昌人
阪大工
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片岡 佳英
阪大 工
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井村 健
阪大 工
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金守 哲
阪大・工
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山口 悟
阪大・工
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首藤 和夫
阪大工
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吉田 正昭
阪大工
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村井 健
阪大 工
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安達 敏男
基礎工
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森下 英樹
阪大工
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弘瀬 洋一
日本工大
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亀井 聰一郎
阪大工
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亀井 総一郎
阪大工
著作論文
- 31p-J-6 水素などを吸着したSi表面上へのAu膜形成過程と低温界面反応
- 2a-D-7 低エネルギーイオン励起によるSi(LMM)Auger電子生成の機構
- 29a-F-5 Si合金からの低エネルギーイオンAuger電子生成の機構
- 11a-R-10 Au-(Narrow and Medium Gap) Semiconductor系にみられる低温界面
- 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
- 6a-LT-16 GD-a-Siのcharacterization I
- 2p-Q-1 Si清浄表面への金属の極薄蒸着とそのAES,LEEDなどによる観測
- Si単結晶基板上へのFe膜成長のAES-LEEDによる観察
- 31p KA-11 Si清浄表面への金属(Feなど)の極薄蒸着とそのAES, LEEDなどによる観測
- 31p GE-8 スパッタリング法によるアモルファスシリコンの基礎的物性
- 6a-LT-9 a-As_2S_3へのCuのphotodoping
- 5a-S-8 第3周期元素からの低エネルギーイオン励起Auger電子スペクトルとその構造
- 2a GD-5 Si-金属合金からの低エネルギーイオン励起オージェ電子
- 2a GA-8 第3周期元素の合金中でのAESケミカルシフトとその応用
- 固相エピタキシャル成長のAES法による微視的観察 : 固相反応
- 3p-DQ-1 低エネルギーイオンによるAuger電子の生成とその応用
- 5p-DR-21 Si-金属(Au,Al,Pdなど)接触系の界面物性
- 3a-BJ-1 金属(薄膜)-半導体系の低温界面反応
- 10p-T-11 低エネルギーイオンによるオージェ電子の生成とその応用
- 11a-R-11 フラッシュ法(Flashing)で清浄化されたSi及びGaAs結晶表面への金属の接合
- CuCl/CdS系の低温熱処理によるCdS基板上へのCu_Sの成長 : 固相反応
- 5p-DR-22 Cu_2S/CdS接合界面のAuger電子分光
- 2a GD-6 低エネルギーAr^+ 照射によりSi-H, Si-Cなどシリコン化合物から放出されるSiオージェ電子