2p-Q-1 Si清浄表面への金属の極薄蒸着とそのAES,LEEDなどによる観測
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1979-09-11
著者
-
岩見 基弘
阪大工
-
浦野 俊夫
神戸大学工学部
-
浦野 俊夫
神戸大工
-
奥野 和彦
阪大工
-
平木 昭夫
阪大工
-
金 守哲
阪大工
-
金持 徹
神戸大工
-
金守 哲
阪大工
-
三谷 恒夫
神戸大工
-
金持 徹
神戸大学
-
浦野 俊夫
神戸大学工学部電気電子工学科
関連論文
- Baに誘起されたSi(111)微斜面における規則的ステップの低速電子線回折(LEED)・走査トンネル顕微鏡(STM)による観察
- 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
- 8a-H-13 Te/Si(001)吸着構造のLEEDによる解析II
- 31a-T-11 Te/Si(001)吸着構造のLEEDによる解析
- Si(111)表面上におけるBaとNH_3の反応に関する研究
- 4a-E-1 Ti-SiO_2(薄膜)/Si(111)系での低温反応
- 12p-Y-4 Si(111)基板上への層状および島状Ti-シリサイド
- 高速イオン散乱法によるSi(111)面上へのAg-island成長の観察 : 表面・界面
- 表面, 界面の物理と電子状態に関する半導体国際シンポジウム
- 27p-Y-9 〜100keVの高速イオン散乱法によるSi(111)表面上への金属膜形成過程
- 27p-Y-7 金属/Si界面形成初期過程 : Ti/Si系
- 高速イオンを用いる新しい表面・界面分析法
- 2p-NM-3 ELS法によるPol-Si(111)界面形成の初期過程の観察
- 31p-J-6 水素などを吸着したSi表面上へのAu膜形成過程と低温界面反応
- 31p-J-5 Si清浄表面上での金属薄膜(シリサイド薄膜)形成過程と低温界面反応
- 3a-E-11 AES法によるmetal/Si界面形成のinitial stageの観測
- 2a-D-7 低エネルギーイオン励起によるSi(LMM)Auger電子生成の機構
- Si(111)面上へのAu膜成長のLEED, ELS及びAESによる観察 : 微粒子・薄膜
- 28a-E-10 AESによるNi-sililcide/Si界面の解析とその特性
- 29p-U-4 半導体上の薄膜のAES, ELS, XPSなどによる観察
- 29p-U-3 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(II) : 高速イオンチャネリング
- 29p-U-2 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(I) : ELζによる観測
- 29a-F-5 Si合金からの低エネルギーイオンAuger電子生成の機構
- 金属-半導体界面の合金化
- 4p-D-6 Transition metal silicide/Si 接合の電子状態
- 7a-D-1 金属イオンの注入によるSi-貴金属の合金の直接生成
- Fe/Si(111)の低速電子線回折(LEED)パターンの観察と強度-エネルギー(I-V)曲線の評価
- 直列静電レンズ型電離真空計におけるフィラメント位置の最適化
- 遺伝的アルゴリズムを用いたLEEDによる構造解析
- 直列静電レンズ型電離真空計における陰極位置
- 直列静電レンズ型(CSL)ゲージにおける空間電荷を考慮した電子軌道のシミュレーション
- 計算ソフトウェア「SIMION」によるCascade Static Lens Gaugeの解析(II)
- 直列静電レンズ型真空計のX線限界圧力に関する一検討
- 直列静電レンズ型真空計の測定下限圧力に関する一考察(関西支部研究例会の講演要旨(平成9年度第1回))
- 計算ソフトウェア「SIMION」によるCascade Static Lens Gaugeの解析
- 新しい直列静電レンズ型真空計の設計と予備実験
- CSLゲージとAEゲージの特長を組み合わせることの可能性
- 24a-PS-28 LEED I-V曲線によるアルカリ吸着Si(001)面の研究III
- 24a-PS-27 K/Si(100)酸化過程におけるエキゾエミション
- 1p-TA-8 LEED I-V曲線によるアルカリ吸着Si(001)面の研究 II
- 3a-T-10 LEED I-V曲線によるアルカリ吸着Si(001)面の研究
- 6a-B4-1 LEEDI-V曲線によるFe/Si(111)の構造解析II
- 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
- 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
- 11a-R-10 Au-(Narrow and Medium Gap) Semiconductor系にみられる低温界面
- 7a-T-7 Au^+およびCu^+イオンのSi基板中へのHigh-dose Implantation
- 4p-K-14 Si(基板)-Ge(蒸着膜)系での相互拡散
- 6p-B-18 Auger分光法によるSi_M_x(M=Au,Cu)の金属-非金属転移の観察
- 6p-V-5 Si-貴金属合金中での^SiのNMR
- 11a-F-8 Si(基板)-Au(薄膜)界面層に存在する金属性Si
- 12p-L-5 クラスター法による貴金属中Si不純物の電子状態の計算
- 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
- 6a-K-6 Cd_Zn_xAs_2における不純物伝導
- 4a-KL-9 P-Zn_3As_2の磁気抵抗効果 II
- 2p-Q-1 Si清浄表面への金属の極薄蒸着とそのAES,LEEDなどによる観測
- Si単結晶基板上へのFe膜成長のAES-LEEDによる観察
- 31p KA-11 Si清浄表面への金属(Feなど)の極薄蒸着とそのAES, LEEDなどによる観測
- 6a-LT-14 Si_xNi_y系での^SiのNMR(Tiの測定)
- 12p-L-3 Si-Au急冷合金系でのAESとSXS
- 6p-V-4 Si-貴金属合金中の金属性Si(SXSおよびAES)
- 6p-V-3 Si/貴金属界面での金属性Si(SIMS)
- 14a-P-10 Si-貴金属系に生じる金属性シリコンのAES(オージェ電子分光)
- 31p GE-9 非晶質Si-H膜のイオン後方散乱法によるcharacterization
- XHV '94会議報告
- 6a-LT-9 a-As_2S_3へのCuのphotodoping
- 2a GD-5 Si-金属合金からの低エネルギーイオン励起オージェ電子
- 2a GA-8 第3周期元素の合金中でのAESケミカルシフトとその応用
- 固相エピタキシャル成長のAES法による微視的観察 : 固相反応
- 3p-DQ-1 低エネルギーイオンによるAuger電子の生成とその応用
- 5p-DR-21 Si-金属(Au,Al,Pdなど)接触系の界面物性
- 10p-T-11 低エネルギーイオンによるオージェ電子の生成とその応用
- 11a-R-11 フラッシュ法(Flashing)で清浄化されたSi及びGaAs結晶表面への金属の接合
- BPの結晶成長 : 化合物半導体
- CuCl/CdS系の低温熱処理によるCdS基板上へのCu_Sの成長 : 固相反応
- 5p-DR-22 Cu_2S/CdS接合界面のAuger電子分光
- (Cd_xZn_)_3As_2基板上へのZn_3As_2ヘテロエビタキシャル成長 : エピタキシー
- 6p-W-4 MgO (001)上における鉄エピタキシャル膜の成長モード
- 極高真空領域における三格子MBAGの特異な変調特性とコンピュータシミュレーションによる解析
- 3格子変調B-Aゲージの正弦波連続変調
- 25a-G-3 AES法による半導体(基板)-金属(蒸着薄膜)系の界面構造観測
- ターボ分子ポンプと油拡散ポンプを直列接続した排気系の特性
- Si (111) 面上でのFe単原子膜のアニーリングによる構造変化
- 30p-D-5 Si(111)面上のFe蒸着膜の角度分解光電子分光
- アブストラクト
- アブストラクト
- 三格子変調型B-Aゲージ
- II_3V_2化合物半導体混晶の結晶成長 : 化合物半導体
- ARUPSによるSi(111)面上のFe蒸着膜形成の初期過程 : 薄膜成長
- 31a-L-2 MgO(001)面のLEED強度測定と回折強度計算
- 3p-BJ-12 アモルファス Si_1-xFe_x 系における非金属-金属転移
- 6p-B-17 アモルファスSi_Au_xの誘電率異常
- CONSTRUCTION OF ANGLE RESOLVED ULTRAVIOLENT PHOTOELECTRON SPECTROMETER AND ITS APPLICATION TO THE ANALYSIS OF Si(lll) SURFACE
- 2p-Q-5 半導体上の薄膜のAES,ELS,XPSによる評価
- 三格子変調B-Aゲージの極高真空領域における異常動作 (I) -実験的研究-
- 直列静電レンズ型真空計についてのコンピューターシミュレーション
- 直列静電レンズ型真空計の原理と予備的考察
- 低速電子線回折(LEED) (表面構造の解析手法(技術ノ-ト))
- 表面科学最近の話題--原子的に平滑な表面の作成法と検定法-2-
- 表面科学最近の話題-1-原子的に平滑な表面の作成法と検査法
- 2p-A1-2 Tunable ELSによるK/Si(111)-7×7(2p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)