27p-Y-9 〜100keVの高速イオン散乱法によるSi(111)表面上への金属膜形成過程

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1983-03-11

著者

• 岩見 基弘

  阪大工

• Tromp R.M.

  FOM研究所(アムステルダム)

• Loenen E.J.van

  FOM研

• Savis F.W.

  FOM研

• Tromp R.m.

  Fom研

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