31p GE-9 非晶質Si-H膜のイオン後方散乱法によるcharacterization
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1979-03-15
著者
-
岩見 基弘
阪大工
-
佐藤 守
大阪工業技術試験所
-
平木 昭夫
阪大工
-
佐藤 守
大工試
-
Stockli M.p
カンザス州立大
-
井村 健
阪大工
-
久保田 和芳
阪大工
-
牛田 克己
阪大工
-
福井 生栄
大工試
-
佐藤 守
大阪工技試
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