平木 昭夫 | 阪大工

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概要

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関連著者

• 平木 昭夫

  阪大工

• 岩見 基弘

  阪大工

• 金 守哲

  阪大工

• 井村 健

  阪大工

• 奥野 和彦

  阪大工

• 伊藤 利道

  阪大工

• 首藤 和夫

  阪大工

• 久保田 和芳

  阪大工

• 金守 哲

  阪大工

• 上村 和功

  阪大工

• 上村 和功

  阪大・工

• 清水 昭

  阪大工

• 佐藤 守

  大阪工業技術試験所

• 成沢 忠

  ニューヨーク州立大

• 佐藤 守

  大工試

• Stockli M.p

  カンザス州立大

• 宮里 達郎

  阪大産研

• 川上 養一

  阪大工

• 徳村 正夫

  阪大産研

• 佐藤 守

  大阪工技試

• 亀井 聡一郎

  阪大工

• 牛田 克己

  阪大工

• 佐野 正

  阪大工

• 吹田 徳雄

  阪大工

• 橋本 伸

  阪大工

• 三枝 隆男

  東海大教養

• 成沢 忠

  日本真空

• 田口 常正

  阪大工

• 小宮 宗治

  日本真空技術(株)

• 大野 裕

  阪大基礎工

• 西田 良男

  阪大基礎工

• 浦野 俊夫

  神戸大学工学部

• 岡田 守民

  京大原子炉

• 浦野 俊夫

  神戸大工

• 森垣 和夫

  東大物性研

• 片岡 佳英

  阪大工

• Gibson W.

  ニューヨーク州立大

• 浜川 圭弘

  立命館大学大学院

• 横田 嘉宏

  (株)神戸製鋼所 技術開発本部

• 横田 嘉宏

  阪大工

• 金持 徹

  神戸大工

• 田中 一宣

  電総研

• 孫 鳳根

  阪大工

• 茂木 和久

  阪大工

• 金持 徹

  神戸大学

• 浦野 俊夫

  神戸大学工学部電気電子工学科

• 朝山 邦輔

  阪大基礎工

• 箕村 茂

  東大物性研

• 浜川 圭弘

  阪大基礎工

• 村田 好正

  東大物性研

• 藤本 文範

  東大教養

• 箕村 茂

  北大理

• 八百 隆文

  電総研

• 伊藤 利道

  大阪大 大学院工学研究科

• 難波 進

  阪大基礎工

• 難波 進

  大阪大学基礎工学部

• 寺内 均

  阪大工

• 田中 一英

  名工大

• 伊藤 利通

  阪大工

• 松尾 一郎

  阪大工

• 中嶋 賢志郎

  名工大

• 秋山 健二

  松下中研

• 吉田 正昭

  阪大工

• 教野 秀樹

  阪大工

• 三谷 恒夫

  神戸大工

• 多木 洋一

  神戸大工

• 小宮 宗治

  日本真空K.K.

• 田代 衛

  阪大工

• 川原田 洋

  早大理工

• 岡本 博明

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 菅野 暁

  東大物性研

• 窪田 政一

  東大物性研

• 斯波 弘行

  東大・物性研

• 川路 紳治

  学習院大理

• 中島 信一

  阪大工

• 矢津 修示

  住友電工

• 中島 信一

  阪大工, 阪大超伝導セ

• 栃原 浩

  東大物性研

• 大山 忠司

  阪大教養

• 米満 博夫

  東芝中研

• 大坂 之雄

  広大工

• 美田 佳三

  阪大院基礎工

• 森垣 和夫

  山口大工

• 森 勇介

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• 寺倉 清之

  融合研

• 斯波 弘行

  東大物性研

• 三石 明善

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• 福永 和男

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• 寺倉 清之

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• 蒲生 健次

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  SUNY-Albany

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  名工大

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• 小宮 宗治

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• 伊藤 順吉

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• 伊藤 順吉

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• 福原 昇

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• 錦織 均

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• 成沢 忠

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• 一戸 英輔

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• 岡本 博明

  基礎工

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• 小栗 多計夫

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• 岩里 基弘

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• 八田 章

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• 成沢 忠

  日本眞空(株)

• 小宮 宗治

  日本眞空(株)

• 成沢 忠

  日本眞空技術(株)

• 小宮 宗治

  日本眞空技術(株)

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• 舛木 泰章

  筑波大物理

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著作論文

• 4a-E-1 Ti-SiO_2(薄膜)/Si(111)系での低温反応
• 12p-Y-4 Si(111)基板上への層状および島状Ti-シリサイド
• 27p-Y-7 金属/Si界面形成初期過程 : Ti/Si系
• 2p-NM-3 ELS法によるPol-Si(111)界面形成の初期過程の観察
• 31p-J-6 水素などを吸着したSi表面上へのAu膜形成過程と低温界面反応
• 31p-J-5 Si清浄表面上での金属薄膜(シリサイド薄膜)形成過程と低温界面反応
• Si(111)面上へのAu膜成長のLEED, ELS及びAESによる観察 : 微粒子・薄膜
• 28a-E-10 AESによるNi-sililcide/Si界面の解析とその特性
• 29p-U-3 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(II) : 高速イオンチャネリング
• 29p-U-2 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(I) : ELζによる観測
• 4p-D-6 Transition metal silicide/Si 接合の電子状態
• 7a-D-1 金属イオンの注入によるSi-貴金属の合金の直接生成
• 誌上討論(表面物性 II. 表面を探る)
• 28p-E-2 ダイヤモンドのサーモルミネセンス(IV)
• 3a-F-11 ZnS-ZnTe超格子の電子分光
• 27p-D-8 ダイヤモンドのサーモルミネセンス(III)
• 2p-N-11 ダイヤモンドのサーモルミネセンス
• 12p-L-4 3d金属-Siの軟X線スペクトル
• VacancyとCuを含んだGeの低温V-I特性 (I) : 半導体
• 12a-F-16 アモルファスSi-Au系の金属非金属転移とESR
• 5a-B-8 結晶 As_2S_3 への光ドーピング,非晶質の場合との比較
• 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
• 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
• 11a-R-10 Au-(Narrow and Medium Gap) Semiconductor系にみられる低温界面
• 7a-T-7 Au^+およびCu^+イオンのSi基板中へのHigh-dose Implantation
• 4p-K-14 Si(基板)-Ge(蒸着膜)系での相互拡散
• 6p-B-18 Auger分光法によるSi_M_x(M=Au,Cu)の金属-非金属転移の観察
• 6p-V-5 Si-貴金属合金中での^SiのNMR
• 11a-F-8 Si(基板)-Au(薄膜)界面層に存在する金属性Si
• 12p-L-5 クラスター法による貴金属中Si不純物の電子状態の計算
• 30a-F-7 TEMによるSi:H合金の観察
• 2a-W-23 Xeを用いたスパッタ法によるa-Si膜の作製
• 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
• 1p-A-8 Si(111)上に吸着したPd原子位置のチャンネリング法による決定
• 31p-J-4 高速イオンチャンネリングによるSi清浄表面への金属膜形成過程と低温界面反応
• 3a-E-9 チャンネリング法により調べたSi(111)Au系での室温界面反応
• 1p-A-9 電子分光法によるGe-Si(1l1)界面形式の初期過程の観察
• 2p-NM-2 AES・ELS法による金属-半導体接合形成初期過程の観察
• 2p-Q-1 Si清浄表面への金属の極薄蒸着とそのAES,LEEDなどによる観測
• Si単結晶基板上へのFe膜成長のAES-LEEDによる観察
• 31p KA-11 Si清浄表面への金属(Feなど)の極薄蒸着とそのAES, LEEDなどによる観測
• 6a-LT-14 Si_xNi_y系での^SiのNMR(Tiの測定)
• 4a-A-18 QMAによるグラファイト反応性スパッタにおけるプラズマ測定
• 4a-A-17 水素ガス反応性RFスパッター法によるa-C:H膜
• 4a-A-16 DCを用いた水素ガス反応性スパッター法によるa-C:H膜
• 4a-A-15 水素ガス反応性スパッター法により、低温基板上にdepositしたμc-Si:Hの磁場による効果
• 4a-A-13 水素ガス反応性R.F.スパッター法により低温基板上にdepositしたμc-Si:HのN_2ガスによる効果
• 12p-D-16 Li_q,N_2温度で生成するSi:H合金の特性
• 12p-L-3 Si-Au急冷合金系でのAESとSXS
• 6p-V-4 Si-貴金属合金中の金属性Si(SXSおよびAES)
• 6p-V-3 Si/貴金属界面での金属性Si(SIMS)
• 5a-T-11 Si-貴金属系に存在する金属性SiのNMR(I)Si-Cu系
• 14a-P-10 Si-貴金属系に生じる金属性シリコンのAES(オージェ電子分光)
• 2a-W-22 水素ガスでのスパッタによる水素化結晶Siの構造・物性
• 29a-D-3 水素又は重水素の高線量イオン注入法によるa-Si: H(D)の製作
• 31p GE-9 非晶質Si-H膜のイオン後方散乱法によるcharacterization
• 29a-D-5 Kr, Neなど希ガス中でのスパッターによるa-Siの製作
• 31p GE-8 スパッタリング法によるアモルファスシリコンの基礎的物性
• 6a-LT-9 a-As_2S_3へのCuのphotodoping
• 30a-F-8 水素中の放電により生成した微結晶性シリコン水素化物のIR吸収
• 2a GD-5 Si-金属合金からの低エネルギーイオン励起オージェ電子
• 2a GA-8 第3周期元素の合金中でのAESケミカルシフトとその応用
• 固相エピタキシャル成長のAES法による微視的観察 : 固相反応
• 3p-DQ-1 低エネルギーイオンによるAuger電子の生成とその応用
• 5p-DR-21 Si-金属(Au,Al,Pdなど)接触系の界面物性
• 10p-T-11 低エネルギーイオンによるオージェ電子の生成とその応用
• 11a-R-11 フラッシュ法(Flashing)で清浄化されたSi及びGaAs結晶表面への金属の接合
• 5a-YB-7 ZnSeのextended defectからの発光線
• 31a-Y-3 多孔質Si:Hの赤外吸収とフォトルミネッセンス
• CuCl/CdS系の低温熱処理によるCdS基板上へのCu_Sの成長 : 固相反応
• 5p-DR-22 Cu_2S/CdS接合界面のAuger電子分光
• 30p-L-9 プラズマ気相合成によるsp^3カーボン膜のESR
• 25a-G-3 AES法による半導体(基板)-金属(蒸着薄膜)系の界面構造観測
• 12a-R-10 Si(基板)-Au(膜)系での低温反応により生じる合金層のAuger 電子分光による観測
• 1p-B-10 Heガス中でのスパッタによるa-Siの製作
• 4p-M-2 Nacl結晶の格子欠陥による核磁気緩和
• 11a-A-10 Ge中にquinchしたthermal vacancyの性貭
• Geのthermal defets II : 格子欠陥
• 4p-AE-7 N_2レーザー励起によるクロロフィルaからの電子放出機構
• 3a-TA-9 電子線照射を受けたGe内燐(P)ドナーのESR
• 9p-C-3 Geの照射損傷と回復(I)
• Vacancyを含むGeのMinority-CarrierのLife-time : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
• 12p-Q-4 Si(単結晶)-Au(蒸着膜)系でみられるAuのSi中への低温拡散(II)赤外光電導で調べたAu不純物
• 12p-Q-3 Si(単結晶)-Au(蒸着膜)系でみられるAuのSi中への低温拡散 : I. Si/Au界面の役割
• 3p-BJ-12 アモルファス Si_1-xFe_x 系における非金属-金属転移
• 6p-B-17 アモルファスSi_Au_xの誘電率異常
• 2p-Q-5 半導体上の薄膜のAES,ELS,XPSによる評価
• 18p-A-20 酸素を含むGeを用いた耐放射線素子製作の可能性
• 8p-P-1 Ge中でのCuのPRECIPITATIONとVACANCY
• Ge中でのvacancyとCuの行動, 性質の比較 (II) : 格子欠陥
• 31p-BG-11 ZnS/ZeTe系超格子の積層状態(31p BG 表面・界面)
• 28p-K-4 ZnSe-ZnS歪み超格子中の励起子の非線形吸収(28pK イオン結晶・光物性(励起状態のカイネティクス・非線形現象))
• 2p-A1-2 Tunable ELSによるK/Si(111)-7×7(2p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

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