鄭 万佑 | 阪大・工
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概要
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鄭 万佑
阪大.工
著作論文
- 13p-P-3 電子線照射したGaAsの格子欠陥
- 5a-G-8 Cu-Diffused n-GaAsの放射線損傷
- 3a-N-13 III-V族半導体の放射線損傷
- 30a-U-9 GaP の放射線損傷
- 6p-E-8 放射線損傷をうけたGaAsのフォトルミネッセンス
- 7p-E-2 液体窒素温度で電子線照射したn-GaAsのフォトルミネッセンス
- 3a-TA-11 液体窒素温度におけるN型GaAsの電子線照射
- 10a-Q-10 77°Kで電子線照射したPドープGeの焼鈍
- Pを含むn型Geの77°Kでの電子線照射 : 格子欠陥
- n型ガリウム・ヒ素の放射線損傷 : 格子欠陥
- Vacancyを含むGeのMinority-CarrierのLife-time : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)